首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:856224
 
资料名称:M48Z32V-35MT1
 
文件大小: 103K
   
说明
 
介绍:
3.3V, 256 Kbit 32 Kbit x 8 ZEROPOWER SRAM
 
 


: 点此下载
  浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第9页
9

10
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第13页
13
浏览型号M48Z32V-35MT1的Datasheet PDF文件第14页
14
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
M48Z32V
10/16
表格 8. 写 模式 交流 特性
便条: 1. 有效的 为 包围的 运行 温度: t
一个
= 0 至 70°c 或者 –40 至 85°c; v
CC
= 3.0 至 3.6v (除了 在哪里 指出).
2. C
L
= 5pf (看 图示 5, 页 5).
3. 如果 e
变得 低 同时发生地 和 wgoing 低, 这 输出 仍然是 在 这 高 阻抗 状态.
标识
参数
(1)
M48Z32V
Unit–35
最小值 最大值
t
AVAV
写 循环 时间 35 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 0 ns
t
AVEL
地址 有效的 至 碎片 使能 低 0 ns
t
WLWH
写 使能 脉冲波 宽度 25 ns
t
ELEH
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 25 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 0 ns
t
EHAX
碎片 使能 高 至 地址 转变 0 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 12 ns
t
DVEH
输入 有效的 至 碎片 使能 高 12 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 0 ns
t
EHDX
碎片 使能 高 至 输入 转变 0 ns
t
WLQZ
(2,3)
写 使能 低 至 输出 hi-z 13 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 25 ns
t
AVEH
地址 有效的 至 碎片 使能 高 25 ns
t
WHQX
(2,3)
写 使能 高 至 输出 转变 5 ns
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com