相似物 整体的 电路 设备 数据
12 freescale 半导体
908E621
静态的 电的 特性
half-桥 输出 hb1 和 hb2
转变 在 阻抗
高-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
低-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
R
ds(在)-hb12
–
–
750
750
900
900
m
Ω
overcurrent 关闭
高-一侧
低-一侧
I
HBOC12
1.0
1.0
–
–
1.5
1.5
一个
overcurrent 关闭 blanking 时间
(18)
t
OCB
–4-8–
µ
s
切换 频率
(18)
f
PWM
––25
kHz
自由-转动 二极管 向前 电压
高-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
低-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
V
HSF
V
LSF
–
–
0.9
0.9
–
–
V
泄漏 电流 I
LeakHB
–<0.210µa
低-一侧 电流 至 电压 比率
(19)
V
ADOUT
[v] / i
HB
[a], csa = 1, (量过的 和 修整 i
HB
= 200 毫安)
V
ADOUT
[v] / i
HB
[a], csa = 0, (量过的 和 修整 i
HB
= 500 毫安)
CR
RATIOHB12
17.5
3.5
25.0
5.0
32.5
6.5
v/一个
half-桥 输出 hb3 和 hb4
转变 在 阻抗
高-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
低-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
R
ds(在)-hb34
–
–
275
275
325
325
m
Ω
overcurrent 关闭
高-一侧
低-一侧
I
HBOC34
4.8
4.8
–
–
7.2
7.2
一个
overcurrent 关闭 blanking 时间
(18)
t
OCB
–4-8–
µ
s
切换 频率
(18)
f
PWM
––25
kHz
自由-转动 二极管 向前 电压
高-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
低-一侧, t
J
= 25
°
c, i
加载
= 1.0 一个
V
HSF
V
LSF
–
–
0.9
0.9
–
–
V
泄漏 电流 I
LeakHB
–<0.210µa
低-一侧 电流 至 电压 比率
(19)
V
ADOUT
[v] / i
HB
[a], csa = 1, (量过的 和 修整 i
HB
= 500 毫安)
V
ADOUT
[v] / i
HB
[a], csa = 0, (量过的 和 修整 i
HB
= 2 一个)
CR
RATIOHB34
3.5
0.7
5.0
1.0
6.5
1.3
v/一个
注释
18. 这个 参数 是 有保证的 用 处理 monitoring 但是 是 不 生产 测试.
19. 这个 参数 是 有保证的 仅有的 如果 准确无误的 修整 是 应用
表格 3. 静态的 电的 特性 (持续)
所有 特性 是 为 这 相似物 碎片 仅有的. 谈及 至 the 68hc908ey16 数据手册 为 characteristics 的 这 微控制器
碎片. 特性 指出 下面 情况 9.0 V
≤
V
SUP
≤
16 v, -40
°
C
≤
T
J
≤
125
°
c 除非 否则 指出. 典型 值
指出 反映 这 近似的 参数 意思 在 t
一个
= 25
°
c 下面 名义上的 情况 除非 否则 指出.
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
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