二月.1999
✽
2. 高 敏锐的 (i
GT
≤
10ma) 是 也 有. (i
GT
item
➀
)
✽
3. 这 联系 热的 阻抗 r
th (c-f)
在 情况 的 greasing 是 0.5
°
c/w.
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
th (j-c)
R
th (j-一个)
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用
T
c
=25
°
c, i
TM
=4.5a, instantaneous 度量
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, r
L
=6
Ω
, r
G
=330
Ω
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
接合面 至 情况
✽
3
接合面 至 包围的
单位
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
✽
2
门 触发 电流
✽
2
门 非-触发 电压
热的 阻抗
热的 阻抗
限制
最大值
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
15
✽
2
15
✽
2
15
✽
2
—
4.0
50
!
@
#
!
@
#
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最小值
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
—
—
毫安
V
V
V
V
毫安
毫安
毫安
V
°
c/w
°
c/w
标识 参数 测试 情况
电的 特性
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3KM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
效能 曲线
最大 在-状态
特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态
电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
3.80.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
T
C
= 25
°
C
10
0
23 5710
1
23 5710
2
44
30
35
20
25
10
15
5
40
0
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