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LT1161
尖刺 能 播放 havoc 和 这 电源 供应 和 false trip
这 电流-sense 比较器.
转变-在
∂
v/
∂
t 是 控制 用 这 增加 的 这 简单的
网络 显示 在 图示 6. 这个 网络 takes 有利因素
的 这 事实 那 这 场效应晶体管 acts 作 一个 源 追随着
在 转变-在. 因此 这
∂
v/
∂
t 在 这 源 能 是
控制 用 controlling 这
∂
v/
∂
t 在 这 门:
∂
∂
V
t
VV
C
TH
=
−
×
+
10 1
5
在哪里 v
TH
是 这 场效应晶体管 门 门槛 电压. 乘以-
ing c
加载
时间 这个
∂
v/
∂
t 产量 这 值 的 这 电流
尖刺. 为 例子, 如果 v
+
= 24v, v
TH
= 2v, 和 c1 = 0.1
µ
f,
∂
v/
∂
t = 2.2v/ms, 结果 在 一个 2.2a 转变-在 尖刺 在
1000
µ
f. 这 二极管 和 第二 电阻 在 这 网络
确保 快 电流 限制 转变-止.
当 turning 止 一个 电容的 加载, 这 源 的 这
场效应晶体管 能 “hang up” 如果 这 加载 阻抗 做 不
释放 c
加载
作 快 作 这 门 是 正在 牵引的 向下.
如果 这个 是 这 情况, 一个 二极管 将 有 至 是 增加 从
源 至 门 至 阻止 v
gs(最大值)
从 正在 超过.
和 c
D
延迟 这 overcurrent trip 为 流 电流 向上 至
大概 10
×
I
设置
, 在之上 这个 这 二极管 conducts
和 提供 立即的 转变-止 (看 图示 7).
至 确保
恰当的 运作 的 这 计时器, c
D
必须 是
≤
C
T
.
场效应晶体管 流 电流 (1 = 设置 电流)
1
trip 延迟 时间 (1 = r
D
C
D
)
10
1
0.1
0.01
10 100
l1161 f07
打印 电路 板 shunts
这 薄板 阻抗 的 1oz. 铜 clad 是 大概
5
×
10
–4
Ω
/正方形的 和 一个 温度 系数 的
+0.39%/
°
c. 自从 这 lt1161 流 sense 门槛 有 一个
类似的 温度 系数 (+0.33%/
°
c), 这个 提供
这 possibility 的 nearly 零 tc 电流 感觉到 使用
“free” 流 sense 电阻器 制造 输出 的 pc 查出 材料.
一个 conservative approach 是 至 使用 0.02" 的 宽度 为 各自
1a 的 电流 为 1oz. 铜. 结合 这 lt1161 流
sense 门槛 和 这 1oz. 铜 薄板 阻抗
结果 在 一个 简单的 expression 为 宽度 和 长度:
宽度 (1oz. cu) = 0.02"
×
I
设置
长度 (1oz. cu) = 2"
这 宽度 为 2oz. 铜 将 是 halved 当 这 长度
将 仍然是 这 一样.
bends 将 是 组成公司的 在 这 电阻 至 减少
空间; 各自 bend 是 相等的 至 大概 0.6
×
宽度 的 笔直地 长度. kelvin 连接 应当 是
运用 用 运动 独立的 查出 从 这 ends 的 这
电阻器 后面的 至 这 lt1161 v
+
和 sense 管脚. 看
应用 便条 53 为 更远 信息 在 打印
电路 板 shunts.
adding 电流 限制 延迟
当 电容的 负载 是 正在 切换 或者 在 非常 嘈杂的
环境, 它 是 desirable 至 增加 延迟 在 这 流
电流-sense path 至 阻止 false tripping (inductive
负载 正常情况下 做 不 需要 延迟). 这个 是 accomplished
用 这 电流 限制 延迟 网络 显示 在 图示 6. r
D
LT1161
24V
V
+
V
+
DS
C
D
C1
1161 f06
R
D
(
≤
10k)
1RFZ24
C
加载
电流 limit
延迟 网络
∂
v/
∂
t 控制 网络
1N4148
1N4148
100k
100k
G
+
+
图示 6.
∂
v/
∂
t 控制 和 电流 限制 延迟
图示 7. 电流 限制 延迟 时间
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