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资料编号:1001826
 
资料名称:LT1161IS
 
文件大小: 290K
   
说明
 
介绍:
Quad Protected High-Side MOSFET Driver
 
 


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LT1161
APPLICATIONs iNMATION
WUU
U
10
µ
F
R
S1
0.2
R
S2
0.02
1
µ
F
1161 f09b
15V
1N4744
15V
1N4744
1N4148
51
51
51
LT1161
8v 至 24v
V
+
V
+
DS1
G1
G2
DS2
+
HV
加载
HV
加载
T1
1
µ
F
T2
IRF630
IRF630
HV
2N2222
+
1/2
LT1013
2N2222
图示 9b. 低-一侧 驱动器 和 二 approaches
为 源 电流 感觉到
电流 感觉到 为 protecting 低-一侧 驱动器 能 是
完毕 在 一些 不同的 方法. 在 这 图示 9a 电路, 这
供应 电压 为 这 加载 是 assumed 至 是 在里面 这
供应 运行 范围 的 这 lt1161. 这个 准许 这 加载
至 是 returned 至 供应 通过 电流-sense 电阻
R
S
, 供应 正常的 运作 的 这 lt1161 保护
电路系统.
如果 这 加载 不能 是 returned 至 供应 通过 r
S
, 或者 这
加载 供应 电压 是 高等级的 比 这 lt1161 供应, 这
电流 sense 必须 是 moved 至 这 源 的 这 低-一侧
场效应晶体管. 图示 9b 显示 二 approaches 至 源
感觉到. 在 频道 1, 电流 限制 occurs 当 这
电压 横过 sense 电阻 r
S1
门槛 这 v
的 这
npn 晶体管, 造成 这 lt1161 流 sense 管脚 至 是
牵引的 向下.
这 频道 2 电路 的 图示 9b 使用 一个 运算的
放大器 (必须 一般 模式 至 地面) 至 水平的 变换 这
电压 横过 r
S2
向上 至 这 流 sense 管脚. 这个 ap-
proach 准许 这 使用 的 一个 更 小 sense 电阻
这个 可以 是 制造 从 pc 查出 材料. 在 两个都
具体情况, 这 lt1161 重新开始 计时器 函数 这 一样 作 在
高-一侧 转变 产品.
典型 applicatioNS
U
+
1
µ
F
LT1161
1161 ta05
IRFZ44
IRFZ44
IRFZ44
24V
R
S
INPUTS
(将 是 paralleled)
GND
T1
IN1
T2
IN2
T3
IN3
T4
IN4
V
+
DS1
G1
DS2
G2
DS3
G3
DS4
G4
V
+
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
µ
F
50V
OUTPUTS
(将 是 paralleled)
15k
100k
+
使用 一个 extra 频道 至 做 一般 电流 限制 为 多样的/paralleled switches
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