AI01275
3V
SRAM 接口
0V
1.5v
2.4v
非易失存储器 接口
0.45v
2.0v
0.8v
图示 3. 交流 测试 输入 输出 波形
AI01276
1.3v
输出
C
L
= 30pF 或者 100pF
C
L
= 30pF 为 SRAM 接口
C
L
= 100pF 为 非易失存储器 接口
C
L
包含 JIG 电容
3.3k
Ω
1N914
设备
下面
测试
图示 4. 交流 测试 加载 电路
SRAM 接口 水平 非易失存储器 接口 水平
输入 上升 和 下降 时间
≤
10ns
≤
10ns
输入 脉冲波 电压 0 至 3V 0.45v 至 2.4v
输入 和 输出 定时 ref. 电压 1.5v 0.8v 和 2V
表格 6. 交流 度量 情况
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
=0V 6 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
=0V 12 pF
便条:
1. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.ed
表格 7. 电容
(1)
(t
一个
=25
°
c, f = 1 MHz )
一个 写 至 这 command 寄存器 是 制造 用 bringing
W 低 当 E 是 低. 这 下落 边缘 的 W latches
地址, 当 这 rising 边缘 latches 数据,
这个 是 使用 为 那些 commands 那 需要
地址 输入, command 输入 or 提供 数据
输出.
这 供应 电压 V
CC
和 这 程序 电压
V
PP
能 是 应用 在 任何 顺序. 当 这 设备
是 powered 向上 或者 当 V
PP
是
≤
6.5v 这 内容
的 这 command 寄存器 defaults 至 00h, 因此
automatically 设置-向上 读 行动. 在 addi-
tion 一个 明确的 command 将 是 使用 至 设置 这
command 寄存器 至 00h 为 读 这 记忆.
这 系统 设计者 将 chose 至 提供 一个 con-
stant 高 V
PP
和 使用 这 寄存器 commands 为
所有 行动, 或者 至 转变 这 V
PP
从 低 至 高
仅有的 当 needing 至 擦掉 或者 程序 这 mem-
ory. 所有 command 寄存器 进入 是 inhibited 当
V
CC
falls 在下 这 擦掉/写 Lockout 电压
(v
LKO
) 的 2.5v.
如果 这 设备 是 deselected 在 erasure, pro-
gramming or Verification 它 将 绘制 起作用的 供应
电流 直到 这 行动 是 terminated.
这 设备 是 保护 相反 压力 造成 用
长 擦掉 或者 程序 时间. 如果 这 终止 的 擦掉 或者
程序编制 行动 是 不 terminated 用 一个
核实 循环 在里面 一个 最大 时间 permitted, 一个
内部的 停止 计时器 automatically stops 这 opera-
tion. 这 设备 仍然是 在 一个 inactive 状态, 准备好
至 开始 一个 核实 或者 重置 模式 运作.
读/写 模式
(内容’d)
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M28F101
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