标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
LO
输出 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流 (读) E = V
IL
, f = 6MHz 30 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) TTL E = V
IH
1mA
供应 电流 (备用物品) CMOS E = V
CC
±
0.2v 50
µ
一个
I
CC2
(1)
供应 电流 (程序编制) 在 程序编制 10 毫安
I
CC3
(1)
供应 电流 (程序 核实) 在 核实 15 毫安
I
CC4
(1)
供应 电流 (擦掉) 在 Erasure 15 毫安
I
CC5
(1)
供应 电流 (擦掉 核实) 在 擦掉 核实 15 毫安
I
LPP
程序 泄漏 电流 V
PP
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
PP
程序 电流 (读 或者
备用物品)
V
PP
>v
CC
120
µ
一个
V
PP
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
PP1
(1)
程序 电流 (程序编制) V
PP
=V
PPH
, 在 程序编制 30 毫安
I
PP2
(1)
程序 电流 (程序
核实)
V
PP
=V
PPH
, 在 核实 5 毫安
I
PP3
(1)
程序 电流 (擦掉) V
PP
=V
PPH
, 在 擦掉 30 毫安
I
PP4
(1)
程序 电流 (擦掉 核实) V
PP
=V
PPH
, 在 擦掉 核实 5 毫安
V
IL
输入 低 电压 –0.5 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 TTL 2 V
CC
+ 0.5 V
输入 高 电压 CMOS 0.7 V
CC
V
CC
+ 0.5 V
V
OL
输出 低 电压
I
OL
= 5.8ma (等级 1) 0.45 V
I
OL
= 2.1ma (等级 6) 0.45 V
V
OH
输出 高 电压 CMOS
I
OH
= –100
µ
一个 4.1 V
I
OH
= –2.5ma 0.85 V
CC
V
输出 高 电压 TTL I
OH
= –2.5ma 2.4 V
V
PPL
程序 电压 (读
行动)
0 6.5 V
V
PPH
程序 电压 (读/写
行动)
11.4 12.6 V
V
ID
A9 电压 (电子的 signature) 11.5 13 V
I
ID
(1)
A9 电流 (电子的 signature) A9 = V
ID
200
µ
一个
V
LKO
供应 电压, 擦掉/程序
锁-输出
2.5 V
便条:
1. 不 100% 测试. Characterisation 数据 有.
表格 8. 直流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
=5V
±
10%)
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