M28F101
1 Mb (128k x 8, 碎片 擦掉) FLASH 记忆
April 1997 1/23
AI00666B
17
a0-a16
W
dq0-dq7
V
PP
V
CC
M28F101
G
E
V
SS
8
图示 1. 逻辑 图解
5V
±
10% 供应 电压
12V 程序编制 电压
快 进入 时间: 70ns
字节 PROGRAMING 时间: 10
µ
s 典型
电的 碎片 擦掉 在 1s 范围
低 电源 消耗量
– 保卫-用 电流: 100
µ
一个 最大值
10,000 擦掉/程序 循环
整体的 擦掉/程序-停止
计时器
OTP 兼容 包装 和 PINOUTS
电子的 SIGNATURE
– 生产者 代号: 20h
– 设备 代号: 07h
描述
这 M28F101 FLASH 记忆 是 一个 非-易变的
记忆 这个 将 是 erased 用电气 在 这
碎片 水平的 一个d 编写程序 字节-用-字节. 它 是 或者-
ganised 作 128K 字节 的 8 位. 它 使用 一个 command
寄存器 architecture 至 选择 这 运行 模式
和 因此 提供 一个 简单的 微处理器 inter-
面向. 这 M28F101 FLASH 记忆 是 合适的 为
产品 在哪里 这 记忆 有 至 是 repro-
grammed 在 这 设备. 这 进入 时间 的
70ns 制造 the 设备 合适的 为 使用 在 高
速 微处理器 系统.
a0-a16 地址 输入
dq0-dq7 数据 输入 / 输出
E 碎片 使能
G 输出 使能
W 写 使能
V
PP
程序 供应
V
CC
供应 电压
V
SS
地面
表格 1. 信号 Names
PLCC32 (k)
32
1
PDIP32 (p)
TSOP32 (n)
8 x 20 mm
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