半导体 组件 industries, llc, 2005
january, 2005 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
mmsz5221bt1/d
mmsz5221bt1 序列
preferred 设备
齐纳 电压 regulators
500 mw sod−123 表面 挂载
三 完全 序列 的 齐纳 二极管 是 offered 在 这 便利的,
表面 挂载 塑料 sod−123 包装. 这些 设备 提供 一个
便利的 alternative 至 这 无铅 34−package 样式.
特性
•
500 mw 比率 在 fr−4 或者 fr−5 板
•
宽 齐纳 反转 电压 范围 − 2.4 v 至 110 v
•
包装 设计 为 最优的 automated 板 组装
•
小 包装 大小 为 高 密度 产品
•
一般 目的, 中等 电流
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
pb−free 包装 是 有
机械的 特性
情况:
void-自由, 转移-模塑的, thermosetting 塑料 情况
完成:
corrosion resistant 完成, 容易地 solderable
最大 情况 温度 为 焊接 目的:
260
°
c 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
flammability 比率:
ul 94 v−0
最大 比率
比率 标识 最大值 单位
总的 电源 消耗 在 fr−5 板,
(便条 1) @ t
L
= 75
°
C
derated 在之上 75
°
C
P
D
500
6.7
mW
mw/
°
C
热的 阻抗, (便条 2)
Junction−to−Ambient
R
JA
340
°
c/w
热的 阻抗, (便条 2)
Junction−to−Lead
R
JL
150
°
c/w
接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. fr−5 = 3.5 x 1.5 英寸, 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 热的 阻抗 度量 得到 通过 infrared scan 方法.
设备
**
包装 Shipping
†
订货 信息
SOD−123
情况 425
样式 1
1
Cathode
2
Anode
MMSZ52xxBT1 SOD−123 3000/录音带 &放大; 卷轴
标记 图解
看 明确的 标记 信息 在 这 设备 标记
column 的 这 电的 特性 表格 在 页 3 的
这个 数据 薄板.
设备 标记 信息
xx = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
xx m
**the “t1” 后缀 谈及 至 一个 8 mm, 7 inch 卷轴.
这 “t3” 后缀 谈及 至 一个 8 mm, 13 inch 卷轴.
1
2
设备 列表 在
bold, italic
是 在 半导体
Preferred
设备.
Preferred
设备 是 推荐
choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
ÂÂ
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MMSZ52xxBT3 SOD−123 10,000/录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
MMSZ52xxBT1G SOD−123
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
MMSZ52xxBT3G SOD−123
(pb−free)
10,000/录音带 &放大; 卷轴
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