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mmsz5221bt1 序列
http://onsemi.com
5
典型 特性
c, 电容 (pf)
100
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 7. 典型 电容
1000
100
10
1
101
偏差 在
50% 的 v
Z
NOM
T
一个
= 25
°
C
0 v 偏差
1 v 偏差
12
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
100
10
1
0.1
0.01
1086420
T
一个
= 25
°
C
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
100
10
1
0.1
0.01
10 30 50 70 90
T
一个
= 25
°
C
90
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 8. 典型 泄漏 电流
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80706050403020100
+150
°
C
+25
°
C
−55
°
C
图示 9. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(v
Z
向上 至 12 v)
图示 10. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(12 v 至 91 v)
I
R
, 泄漏 电流 (

一个)
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)

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mmsz5221bt1 序列 http://onsemi.com 5 典型特性 c, 电容 (pf) 100 V Z , 名义上的齐纳电压 (v) 图示 7. 典型电容 1000 100 10 1 101 偏差在 50% 的 v Z NOM T 一个 = 25 ° C 0 v 偏差 1 v 偏差 12 V Z , 齐纳电压 (v) 100 10 1 0.1 0.01 1086420 T 一个 = 25 ° C V Z , 齐纳电压 (v) 100 10 1 0.1 0.01 10 30 50 70 90 T 一个 = 25 ° C 90 V Z , 名义上的齐纳电压 (v) 图示 8. 典型泄漏电流 1000 100 10 1 0.1 0.01 0.001 0.0001 0.00001 80706050403020100 +150 ° C +25 ° C −55 ° C 图示 9. 齐纳电压相比齐纳电流 (v Z 向上至 12 v) 图示 10. 齐纳电压相比齐纳电流 (12 v 至 91 v) I R , 泄漏电流 (  一个) I Z , 齐纳电流 (毫安) I Z , 齐纳电流 (毫安)

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