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资料编号:1021505
 
资料名称:MC33151DR2
 
文件大小: 284K
   
说明
 
介绍:
High Speed Dual MOSFET Drivers
 
 


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mc34151, mc33151
http://onsemi.com
2
最大 比率
比率 标识 单位
电源 供应 电压 V
CC
20 V
逻辑 输入 (便条 1.) V
–0.3 至 v
CC
V
驱动 输出 (便条 2.)
totem 柱子 下沉 或者 源 电流
二极管 clamp 电流 (驱动 输出 至 v
CC
)
I
O
I
o(clamp)
1.5
1.0
一个
电源 消耗 和 热的 特性
d 后缀 so–8 包装 情况 751
最大 电源 消耗 @ t
一个
= 50
°
C
热的 阻抗, junction–to–air
p 后缀 8–pin 包装 情况 626
最大 电源 消耗 @ t
一个
= 50
°
C
热的 阻抗, junction–to–air
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
0.56
180
1.0
100
W
°
c/w
W
°
c/w
运行 接合面 温度 T
J
+150
°
C
运行 包围的 温度
MC34151
MC33151
T
一个
0 至 +70
–40 至 +85
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65 至 +150
°
C
电的 特性
(v
CC
= 12 v, 为 典型 值 t
一个
= 25
°
c, 为 最小值/最大值 值 t
一个
是 这 仅有的 运行
包围的 温度 范围 那 应用 [note 3.], 除非 否则 指出.)
特性
标识 最小值 Typ 最大值 单位
逻辑 输入
输入 门槛 电压 – 高 状态 逻辑 1
输入 门槛 电压– 低 状态 逻辑 0
V
IH
V
IL
2.6
1.75
1.58
0.8
V
输入 电流 – 高 状态 (v
IH
= 2.6 v)
输入 电流– 低 状态 (v
IL
= 0.8 v)
I
IH
I
IL
200
20
500
100
µ
一个
驱动 输出
输出 电压 – 低 状态 (i
下沉
= 10 毫安)
输出 电压 – 低 状态 (i
下沉
= 50 毫安)
输出 电压 – 低 状态 (i
下沉
= 400 毫安)
输出 电压– 高 状态 (i
= 10 毫安)
输出 电压 – 高 状态 (i
= 50 毫安)
输出 电压 – 高 状态 (i
= 400 毫安)
V
OL
V
OH
10.5
10.4
9.5
0.8
1.1
1.7
11.2
11.1
10.9
1.2
1.5
2.5
V
输出 pull–down 电阻 R
PD
100 k
切换 特性
(t
一个
= 25
°
c)
传播 延迟 (10% 输入 至 10% 输出, c
L
= 1.0 nf)
逻辑 输入 至 驱动 输出 上升
逻辑 输入 至 驱动 输出 下降
t
plh(在/输出)
t
phl(在/输出)
35
36
100
100
ns
驱动 输出 上升 时间 (10% 至 90%) C
L
= 1.0 nf
驱动 输出 上升 时间 (10% 至 90%) C
L
= 2.5 nf
t
r
14
31
30
ns
驱动 输出 下降 时间 (90% 至 10%) C
L
= 1.0 nf
驱动 输出 下降 时间 (90% 至 10%) C
L
= 2.5 nf
t
f
16
32
30
ns
总的 设备
电源 供应 电流
备用物品 (逻辑 输入 grounded)
运行 (c
L
= 1.0 nf 驱动 输出 1 和 2, f = 100 khz)
I
CC
6.0
10.5
10
15
毫安
运行 电压 V
CC
6.5 18 V
1. 为 最佳的 切换 速, 这 最大 输入 电压 应当 是 限制 至 10 v 或者 v
CC
, whichever 是 较少.
2. 最大 包装 电源 消耗 限制 必须 是 observed.
3. T
=0
°
c 为 mc34151 T
= +70
°
c 为 mc34151
–40
°
c 为 mc33151 +85
°
c 为 mc33151
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