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资料编号:1032168
 
资料名称:MMFT5P03HDT3
 
文件大小: 198K
   
说明
 
介绍:
TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMFT5P03HD
http://onsemi.com
9
信息 为 使用 这 sot–223 表面 挂载 包装
最小 推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面 挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这
总的 设计. 这 footprint 为 这 半导体 包装
必须 是 这 准确无误的 大小 至 insure 恰当的 焊盘 连接
接口 在 这 板 和 这 包装. 和 这
准确无误的 垫子 geometry, 这 包装 将 自 排整齐 当
subjected 至 一个 焊盘 软熔焊接 处理.
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mm
英寸
sot–223 电源 消耗
这 电源 消耗 的 这 sot–223 是 一个 函数 的
这 流 垫子 大小. 这个 能 相异 从 这 最小 垫子
大小 为 焊接 至 一个 垫子 大小 给 为 最大 电源
消耗. 电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是
决定 用 t
j(最大值)
, 这 最大 评估 接合面
温度 的 这 消逝, r
θ
JA
, 这 热的 阻抗 从
这 设备 接合面 至 包围的, 和 这 运行
温度, t
一个
. 使用 这 值 提供 在 这 数据
薄板 为 这 sot–223 包装, p
D
能 是 计算 作
跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
这 值 为 这 等式 是 建立 在 这 最大
比率 表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值
在 这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c,
一个 能 计算 这 电源 消耗 的 这 设备 这个
在 这个 情况 是 3.13 watts.
P
D
=
150
°
c – 25
°
C
40
°
c/w
= 3.13 watts
这 40
°
c/w 为 这 sot–223 包装 假设 这 使用
的 这 推荐 footprint 在 一个 glass 环氧的 打印
电路 板 至 达到 一个 电源 消耗 的 3.13 watts.
那里 是 其它 alternatives 至 实现 高等级的 电源
消耗 从 这 sot–223 包装. 一个 是 至 增加
这 范围 的 这 流 垫子. 用 增加 这 范围 的 这 流
垫子, 这 电源 消耗 能 是 增加. 虽然 一个
能 almost 翻倍 这 电源 消耗 和 这个 方法,
一个 将 是 给 向上 范围 在 这 打印 电路 板
这个 能 defeat 这 目的 的 使用 表面 挂载
技术.
另一 alternative 将 是 至 使用 一个 陶瓷的 基质
或者 一个 铝 核心 板 此类 作 热的 clad
. 使用
一个 板 材料 此类 作 热的 clad, 一个 铝 核心
板, 这 电源 消耗 能 是 doubled 使用 这 一样
footprint.
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