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电源 场效应晶体管 切换
切换 行为 是 大多数 容易地 modeled 和 predicted
用 recognizing 那 这 电源 场效应晶体管 是 承担
控制. 这 长度 的 各种各样的 切换 间隔 (
∆
t)
是 决定 用 如何 快 这 场效应晶体管 输入 电容 能
是 charged 用 电流 从 这 发生器.
这 发行 电容 数据 是 difficult 至 使用 为
calculating 上升 和 下降 因为 drain–gate 电容
varies 非常 和 应用 电压. accordingly, 门
承担 数据 是 使用. 在 大多数 具体情况, 一个 satisfactory 估计 的
平均 输入 电流 (i
g(av)
) 能 是 制造 从 一个
rudimentary 分析 的 这 驱动 电路 所以 那
t = q/i
g(av)
在 这 上升 和 下降 时间 间隔 当 切换 一个
resistive 加载, v
GS
仍然是 virtually 常量 在 一个 水平的
知道 作这 plateau 电压, v
SGP
. 因此, 上升 和 下降
时间 将 是 近似 用 这 下列的:
t
r
= q
2
x r
G
/(v
GG
– v
GSP
)
t
f
= q
2
x r
G
/v
GSP
在哪里
V
GG
= 这 门 驱动 电压, 这个 varies 从 零 至 v
GG
R
G
= 这 门 驱动 阻抗
和 q
2
和 v
GSP
是 读 从 这 门 承担 曲线.
在 这 turn–on 和 turn–off 延迟 时间, 门 电流 是
不 常量. 这 simplest 计算 使用 适合的
值从 这 电容 曲线 在 一个 标准 等式 为
电压 改变 在 一个 rc 网络. 这 equations 是:
t
d(在)
= r
G
C
iss
在 [v
GG
/(v
GG
– v
GSP
)]
t
d(止)
= r
G
C
iss
在 (v
GG
/v
GSP
)
这 电容 (c
iss
) 是 读 从 这 电容 曲线 在
一个 电压 相应的 至 这 off–state 情况 当
calculating t
d(在)
和 是读 在 一个 电压 相应的 至 这
on–state 当 calculating t
d(止)
.
在 高 切换 speeds, parasitic 电路 elements
complicate 这 分析. 这 电感 的 这 场效应晶体管
源 含铅的, inside 这 包装 和 在 这 电路 线路
这个 是 一般 至 两个都 这 流 和 门 电流 paths,
生产 一个电压 在 这 源 这个 减少 这 门 驱动
电流. 这 电压 是 决定 用 ldi/dt, 但是 自从 di/dt
是 一个 函数 的 流 电流, 这 mathematical 解决方案 是
complex. 这 场效应晶体管 输出 电容 也
complicates 这 mathematics. 和 最终, mosfets 有
finite 内部的 门 阻抗 这个 effectively adds 至 这
阻抗 的 这 驱动 源, 但是 这 内部的 阻抗
是 difficult 至 measure 和, consequently, 是 不 指定.
这 resistive 切换 时间 变化 相比 门
阻抗 (图示 9) 显示 如何 典型 切换
效能 是 影响 用 这 parasitic 电路 elements. 如果
这 parasitics 是 不 呈现, 这 斜度 的 这 曲线 将
维持 一个 值 的 统一体 regardless 的 这 切换 速.
这 电路 使用 至 获得 这 数据 是 构成 至 降低
一般 电感 在 这 流 和 门 电路 循环 和
是 相信 readily achievable 和 板 挂载
组件. 大多数 电源 电子的 负载 是 inductive; 这
数据 在 这 图示 是 带去 和 一个 resistive 加载, 这个
approximates 一个 optimally snubbed inductive 加载. 电源
mosfets 将 是 safely 运作 在 一个 inductive 加载;
不管怎样, snubbing 减少 切换 losses.
图示 7. 电容 变化
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