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资料编号:1032168
 
资料名称:MMFT5P03HDT3
 
文件大小: 198K
   
说明
 
介绍:
TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
发行 顺序 号码:
mmft5p03hd/d
半导体 组件 industries, llc, 2000
十一月, 2000 – rev. 3
1

preferred 设备


p–channel sot–223
这个 小型的 表面 挂载 场效应晶体管 特性 过激 低 r
ds(在)
和 真实 逻辑 水平的 效能. 它 是 有能力 的 承受 高
活力 在 这 avalanche 和 commutation 模式 和 这
drain–to–source 二极管 有 一个 非常 低 反转 恢复 时间.
mmft5p03hd 设备 是 设计 为 使用 在 低 电压, 高
速 切换 产品 在哪里 电源 效率 是 重要的.
可携带的 和 电池 powered 产品 此类 作 计算机, printers,
cellular 和 cordless phones. 它们 能 也 是 使用 为 低 电压
发动机 控制 在 mass 存储 产品 此类 作 disk 驱动 和 录音带
驱动. 这 avalanche 活力 是 指定 至 eliminate 这 guesswork
在 设计 在哪里 inductive 负载 是 切换 和 提供 额外的
安全 余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
过激 低 r
ds(在)
提供 高等级的 效率 和 extends 电池
生命
逻辑 水平的 门 驱动 – 能 是 驱动 用 逻辑 ics
小型的 sot–223 表面 挂载 包装 – saves 板 空间
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
二极管 exhibits 高 速, 和 软 恢复
I
DSS
指定 在 提升 温度
avalanche 活力 指定
设备 包装 Shipping
订货 信息
MMFT5P03HDT3 SOT–223 4000 录音带 &放大; 卷轴
5 amperes
30 伏特
R
ds(在)
= 100 m
1
2
3
4
P–Channel
TO–261AA
情况 318e
样式 3
http://onsemi.com
LWW
标记
图解
5P03H
L = location 代号
WW = 工作 week
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
321
4
  

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