mpc852t 硬件 规格, rev. 3.1
freescale 半导体 7
直流 特性
6 直流 特性
Table5提供 这 直流 电的 特性 为 这 mpc852t.
2
最大 电源 消耗 在 v
DDL
和 v
DDSYN
是 在 1.9 v. 和 v
DDH
是 在 3.465 v.
便条
Val uesin Table4代表 v
DDL
-为基础 电源
消耗, 和 做 不 包含 i/o 电源 消耗
在 v
DDH
. i/o 电源 消耗 varies widely 用
应用 那 缓存区 电流 能 导致, 取决于
在 外部 电路系统.
这 v
DDSYN
电源 消耗 是 negligible.
Table5. 直流 电的 规格
典型的 标识 最小值 最大值 单位
运行 电压 V
DDH
3.135 3.465 V
V
DDL
1.7 1.9 V
V
DDSYN
1.7 1.9 V
区别 在 v
DDL
至
V
DDSYN
— 100 mV
输入 高 电压 (所有 输入 除了
pa[0:3], pa[8:11], pb15, pb[24:25];
pb[28:31], pc[4:7], pc[12:13], pc15,
pd[3:15], tdi, tdo, tck,
TRST, tms,
mii_txen, mii_mdio)
1
V
IH
2.0 3.465 V
输入 低 电压 V
IL
地 0.8 V
extal, extclk 输入 高 电压 V
IHC
0.7
×
V
DDH
V
DDH
V
输入 泄漏 电流, vin = 5.5 v
(除了 tms,
TRST, dsck 和 dsdi
管脚) 为 5-v tolerant 管脚
1
I
在
— 100 µA
输入 泄漏 电流, vin = v
DDH
(除了 tms,
TRST, dsck, 和 dsdi)
I
在
— 10 µA
输入 泄漏 电流, vin = 0 v (除了
tms,
TRST, dsck 和 dsdi 管脚)
I
在
— 10 µA
输入 电容
2
C
在
— 20 pF