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资料编号:1032653
 
资料名称:MRF136Y
 
文件大小: 221K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
(1)
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 5.0 毫安)
V
(br)dss
65 Vdc
zero–gate 电压 流 电流
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0)
I
DSS
2.0 mAdc
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 40 v, v
DS
= 0)
I
GSS
1.0
µ
模数转换器
在 特性
(1)
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 v, i
D
= 25 毫安)
V
gs(th)
1.0 3.0 6.0 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 v, i
D
= 250 毫安)
g
fs
250 400 mmhos
动态 特性
(1)
输入 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
iss
24 pF
输出 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
oss
27 pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
rss
5.5 pF
函数的 特性
(2)
一般 源 电源 增益 (图示 1)
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
G
ps
12 14 dB
流 效率 (图示 1)
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz, i
DQ
= 100 毫安)
η
50 54 %
电的 强壮 (图示 1)
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz, i
DQ
= 100 毫安,
vswr 30:1 在 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 输出 电源
注释:
1. 各自 一侧 量过的 separately.
2. 量过的 在 push–pull 配置.
2
rev 0
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