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资料编号:1032653
 
资料名称:MRF136Y
 
文件大小: 221K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
 
 


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图示 1. 30–150 mhz 测试 电路
c1 — 5.0 pf
c2, c3, c4, c6, c7, c9, c11 — 0.1
µ
f 陶瓷的
c5, c8 — 680 pf feedthru
c10 — 15 pf
d1 — 1n4740 motorola 齐纳
rfc1 — 17 转变, #24 awg 伤害 在 r5
rfc2 — ferroxcube vk–200–19/4b 或者 相等的
r1 — 10 k
, 1/4 w
r2, r3 — 560
, 1/2 w
r4 — 10 转变, 10 k
r5 — 56 k
, 1 w
r6 — 1.6 k
, 1/4 w
t1 — primary winding — 3 转变 #28 enameled 线.
T1— secondary winding — 2 转变 #28 enameled 线.
t1 —两个都 windings 伤害 通过 一个 fair/rite balun 65 核心.
t1 —部分 #2865002402.
t2 — 1:1 变压器 伤害 bifilar — 2 转变 twisted 一双
t1 —#24 enameled 线 通过 一个 indiana 一般 balun q1
t1 —核心. 部分 #18006–1–q1. primary winding 中心 抽头的.
板 材料 — 0.062
g10, 1 oz. cu clad, 翻倍 sided
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图示 2. 输出 电源 相比 输入 电源 图示 3. 输出 电源 相比 输入 电源
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