mun5211dw1t1 序列
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2
设备 标记 和 电阻 值
设备 包装 标记 r1 (k) r2 (k) Shipping
MUN5211DW1T1 SOT−363 7A 10 10 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5212DW1T1 SOT−363 7B 22 22 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5213DW1T1 SOT−363 7C 47 47 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5214DW1T1 SOT−363 7D 10 47 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5215DW1T1 SOT−363 7E 10
∞
3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5216DW1T1 SOT−363 7F 4.7
∞
3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5230DW1T1 SOT−363 7G 1.0 1.0 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5231DW1T1 SOT−363 7H 2.2 2.2 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5232DW1T1 SOT−363 7J 4.7 4.7 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5233DW1T1 SOT−363 7K 4.7 47 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5234DW1T1 SOT−363 7L 22 47 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5235DW1T1 SOT−363 7M 2.2 47 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5236DW1T1 SOT−363 7N 100 100 3000/录音带 &放大; 卷轴
MUN5237DW1T1 SOT−363 7P 47 22 3000/录音带 &放大; 卷轴
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出, 一般 为 q
1
和 q
2
)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= 50 v, i
E
= 0) I
CBO
− − 100 nAdc
集电级-发射级 截止 电流 (v
CE
= 50 v, i
B
= 0) I
CEO
− − 500 nAdc
发射级-根基 截止 电流 MUN5211DW1T1
(v
EB
= 6.0 v, i
C
= 0) MUN5212DW1T1
MUN5213DW1T1
MUN5214DW1T1
MUN5215DW1T1
MUN5216DW1T1
MUN5230DW1T1
MUN5231DW1T1
MUN5232DW1T1
MUN5233DW1T1
MUN5234DW1T1
MUN5235DW1T1
MUN5236DW1T1
MUN5237DW1T1
I
EBO
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
mAdc
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0) V
(br)cbo
50 − − Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (便条 3.) (i
C
= 2.0 毫安, i
B
= 0) V
(br)ceo
50 − − Vdc
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
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