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资料编号:1033266
 
资料名称:MUN5214DW1T1
 
文件大小: 179K
   
说明
 
介绍:
Dual Bias Resistor Transistors
 
 


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mun5211dw1t1 序列
http://onsemi.com
6
典型 电的 特性 — mun5212dw1t1
V
, 输入 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (毫安) h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
图示 7. v
ce(sat)
相比 i
C
图示 8. 直流 电流 增益
图示 9. 输出 电容 图示 10. 输出 电流 相比 输入 电压
1000
10
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
T
一个
=75
°
C
25
°
C
−25
°
C
100
10
1 100
75
°
C 25
°
C
100
0
V
, 输入 电压 (伏特)
10
1
0.1
0.01
0.001
246810
T
一个
=−25
°
C
0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
100
T
一个
=−25
°
C
75
°
C
10
1
0.1
10 20 30 40 50
25
°
C
图示 11. 输入 电压 相比 输出 电流
0.001
T
一个
=−25
°
C
75
°
C
25
°
C
0.01
0.1
1
40
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0
20 50
50
0 10203040
4
3
2
1
0
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
C
ob
, 电容 (pf)
I
C
/i
B
= 10
V
CE
= 10 v
f = 1 mhz
I
E
= 0 v
T
一个
= 25
°
C
V
O
= 5 v
V
O
= 0.2 v
V
ce(sat)
, 集电级 电压 (伏特)
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