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资料编号:1033266
资料名称:
MUN5214DW1T1
文件大小: 179K
说明
:
介绍
:
Dual Bias Resistor Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mun5211dw1t1 序列
http://onsemi.com
5
典型 电的 特性 — mun5211dw1t1
V
在
, 输入 电压 (伏特)
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
图示 2. v
ce(sat)
相比 i
C
10
02030
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
10
1
0.1
T
一个
=−25
°
C
75
°
C
25
°
C
40
50
图示 3. 直流 电流 增益
图示 4. 输出 电容
1
0.1
0.01
0.001
020
40
50
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
1000
100
10
1
10
100
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
T
一个
=75
°
C
25
°
C
−25
°
C
T
一个
=−25
°
C
25
°
C
图示 5. 输出 电流 相比 输入 电压
75
°
C
25
°
C
T
一个
=−25
°
C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
01
234
V
在
, 输入 电压 (伏特)
56
78
910
图示 6. 输入 电压 相比 输出 电流
50
010203040
4
3
1
2
0
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
C
ob
, 电容 (pf)
75
°
C
V
CE
= 10 v
f = 1 mhz
I
E
= 0 v
T
一个
= 25
°
C
V
O
= 5 v
V
O
= 0.2 v
I
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
, 集电级 电压 (伏特)
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