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资料编号:1034064
 
资料名称:NTD25P03LT4
 
文件大小: 74K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTD25P03L
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压
(便条 3)
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= −250
一个)
温度 系数 (积极的)
V
(br)dss
−30
−24
V
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= −30 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 25
°
c)
(v
DS
= −30 vdc, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
−1.0
−100
一个
gate−body 泄漏 电流
(v
GS
=
±
15 vdc, v
DS
= 0 vdc)
I
GSS
−100
nA
在 特性
(便条 3)
门 门槛 电压
(v
DS
= v
GS
, i
D
= −250
模数转换器)
温度 系数 (负的)
V
gs(th)
−1.0 −1.6
4.0
−2.0
V
mv/
°
C
静态的 drain−to−source on−state 阻抗
(v
GS
= −5.0 vdc, i
D
= −12.5 模数转换器)
(v
GS
= −5.0 vdc, i
D
= −25 模数转换器)
(v
GS
= −4.0 vdc, i
D
= −10 模数转换器)
R
ds(在)
0.051
0.056
0.065
0.072
0.080
0.090
向前 跨导
(v
DS
= −8.0 vdc, i
D
= −12.5 模数转换器)
g
FS
13
Mhos
动态 特性
输入 电容
C
iss
900 1260
pF
输出 电容
(v
DS
= −25 vdc, v
GS
= 0 vdc,
f = 1.0 mhz)
C
oss
290 410
反转 转移 电容
f = 1.0mhz)
C
rss
105 210
切换 特性
(注释 3 &放大; 4)
turn−on 延迟 时间
t
d(在)
9.0 20
ns
上升 时间
(v
DD
= −15
vdc, i
D
= −25 一个,
V
GS
= 50V
t
r
37 75
turn−off 延迟 时间
V
GS
= −5.0 v,
R
G
= 1.3
)
t
d(止)
15 30
下降 时间
G
)
t
f
16 55
门 承担
Q
T
15 20
nC
(v
DS
= −24
vdc,
V
GS
= 5 0 Vdc
Q
1
3.0
V
GS
= −5.0 vdc,
I
D
= −25 一个)
Q
2
9.0
D
)
Q
3
7.0
body−drain 二极管 比率
(便条 3)
二极管 向前 on−voltage
(i
S
= −25 模数转换器, v
GS
= 0 v)
(i
S
= −25 模数转换器, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
°
c)
V
SD
−1.0
−0.9
−1.5 V
反转 恢复 时间
t
rr
35
ns
(i
S
= −25 一个, v
GS
= 0 v,
dI
S
/dt = 100 一个/
s)
t
一个
20
dI
S
/dt = 100 一个/
s)
t
b
14
反转 恢复 贮存 承担 Q
RR
0.035
C
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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