NTD25P03L
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典型 场效应晶体管 电的 特性
1.6
0.8
1.2
0.6
100
10
10,000
0
40
5
20
1
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
−I
D
, 流 电流 (放大器)
0
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
图示 1. on−region 特性 图示 2. 转移 特性
−I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.25
0.15
252015
0.1
0.05
0
530
图示 3. on−resistance 相比 流 电流
和 温度
−I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
−I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏 电流
相比 电压
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
(normalized)
−I
DSS
, 泄漏 (na)
−50 0−25 5025
4215
0152010 305
10
30
V
DS
≥
−5 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −40
°
C
T
J
= 125
°
C
150
I
D
= −12.5
V
GS
= −5 v
50
0.3
V
GS
= 10 v
V
GS
= −5 v
3
40
20
0
10
30
50
0
0.075
0.05
2015
0.025
0
10 50
0.01
1000
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
24
9 v
8 v
4.5 v
3 v
3
10 4035 45 50
0.2
t = 125
°
C
t = −40
°
C
t = 25
°
C
54540353025
V
GS
= −5 v
V
GS
= −10 v
1
10075 125
1.4
25
V
GS
= 0 v
T
J
= 150
°
C
T
J
= 125
°
C
2.5 v
3.5 v
4 v
5 v
6 v
7 v
6
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