NTD25P03L
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图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
I
D
= −25 一个
T
J
= 25
°
C
−V
GS
Q
T
−V
DS
30
0
20
10
6
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
−V
GS
, gate−to−source 电压 (伏特)
05
10
8
4
2
2.5 7.5 10
1000
100
1
R
G
, 门 阻抗 (
)
t, 时间 (ns)
1 100
10
10
V
DD
= −15 v
I
D
= −25 一个
V
GS
= −5.0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
12.5 15
−V
DS
, drain−to−source 电压 (伏特)
Q
3
Q
1
Q
2
25
15
5
drain−to−source 二极管 特性
这 切换 特性 的 一个 场效应晶体管 身体 二极管
是 非常 重要的 在 系统 使用 它 作 一个 freewheeling 或者
commutating 二极管. 的 particular interest 是 这 反转
恢复 特性 这个 播放 一个 主要的 role 在
determining 切换 losses, radiated 噪音, emi 和 rfi.
系统 切换 losses 是 largely 预定的 至 这 nature 的
这 身体 二极管 它自己. 这 身体 二极管 是 一个 minority 运输车
设备,因此 它 有 一个 finite 反转 恢复 时间, t
rr
, 预定的
至 这 存储 的 minority 运输车 承担, q
RR
, 作 显示 在
这 典型 反转 恢复 波 表格 的 图示 14. 它 是 这个
贮存 承担 那, 当 cleared 从 这 二极管, passes
通过 一个 潜在的 和 定义 一个 活力 丧失. obviously,
repeatedly forcing 这 二极管 通过 反转 恢复
更远 增加 切换 losses. 因此, 一个 将
像 一个 二极管 和 短的 t
rr
和 低 q
RR
规格 至
降低 这些 losses.
这 abruptness 的 二极管 反转 恢复 影响 这
数量 的 radiated 噪音, 电压 尖刺, 和 电流
ringing. 这 mechanisms 在 工作 是 finite irremovable
电路parasitic inductances 和 capacitances acted 在之上 用
高 di/dts. 这 二极管’s 负的 di/dt 在 t
一个
是 直接地
控制 用 这 设备 clearing 这 贮存 承担.
不管怎样, 这 积极的 di/dt 在 t
b
是 一个 uncontrollable
二极管 典型的 和 是 通常地 这 culprit 那 induces
电流 ringing. 因此, 当 comparing 二极管, 这
比率 的 t
b
/t
一个
serves 作 一个 好的 指示信号 的 恢复
abruptness 和 因此 给 一个 comparative 估计 的
probable噪音 发生. 一个 比率 的 1 是 考虑 完美的 和
值 较少 比 0.5 是 考虑 snappy.
对照的 至 在 半导体 标准 cell 密度
低 电压 mosfets, 高 cell 密度 场效应晶体管 二极管
是 faster (shorter t
rr
), 有 较少 贮存 承担 和 一个 softer
反转 恢复 典型的. 这 softness 有利因素 的
这 高 cell 密度 二极管 意思 它们 能 是 强迫 通过
反转 恢复 在 一个 高等级的 di/dt 比 一个 标准 cell
场效应晶体管二极管 没有 增加 这 电流 ringing 或者 这
噪音 发生. 在 增加, 电源 消耗 incurred
从 切换 这 二极管 将 是 较少 预定的 至 这 shorter
恢复 时间 和 更小的 切换 losses.
25
0
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
−V
SD
, source−to−drain 电压 (伏特)
−I
S
, 源 电流 (放大器)
0
5
0.3
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
0.4 0.8 0.9
10
15
20
0.1 0.2 0.5 0.6 0.7 1 1.1
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