NTMS10P02R2
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图示 1. on–region 特性
–V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
20
15
10
5.0
2.001.751.501.251.000.750.500.250
图示 2. 转移 特性
–V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
2.52.01.51.00.50
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
–V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
0.100
0.075
0.050
0.025
108.06.04.02.00
图示 4. 在-阻抗 相比 流 电流
和 门 电压
–I
D
, 流 电流 (放大器)
1814106.0
0.016
0.012
0.0080
0.020
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1501251007550250–25–50
图示 6. drain–to–source 泄漏 电流
相比 电压
–V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
1814106.02.0
1000
100
10
0.6
10,000
V
DS
≥
–10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
I
D
= –10 一个
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= –2.5 v
V
GS
= –4.5 v
I
D
= –10 一个
V
GS
= –4.5 v
T
J
= 125
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= –1.7 v
–1.9 v
–2.1 v–2.3 v
–3.1 v
–10 v
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