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NTMS10P02R2
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4
gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
2000
8000
图示 7. 电容 变化
10 0 5.0 105.0
T
J
= 25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
15 20
0
4000
6000
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 v V
DS
= 0 v
–V
DS
–V
GS
10,000
图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source
电压 相比 总的 承担
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1.0 10 100
100
10
t, 时间 (ns)
V
DD
= –10 v
I
D
= –1.0 一个
V
GS
= –4.5 v
t
r
t
d(在)
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
10
–V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
2.0
0
0
1.0
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
–V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
5.0
10 20 40
I
D
= –10 一个
T
J
= 25
°
C
30
V
DS
V
GS
Q2
Q3
Q1
1000
t
f
3.0
2.0
4.0
6.0
4.0
8.0
QT
50
t
d(止)
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1.0 10 100
100
10
t, 时间 (ns)
V
DD
= –10 v
I
D
= –10 一个
V
GS
= –4.5 v
t
r
t
d(在)
图示 10. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
1000
t
f
t
d(止)

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NTMS10P02R2 http://onsemi.com 4 gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特) c, 电容 (pf) 2000 8000 图示 7. 电容变化 10 0 5.0 105.0 T J = 25 ° C C iss C oss C rss 15 20 0 4000 6000 C iss C rss V GS = 0 v V DS = 0 v –V DS –V GS 10,000 图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source 电压相比总的承担 R G , 门阻抗 (ohms) 1.0 10 100 100 10 t, 时间 (ns) V DD = –10 v I D = –1.0 一个 V GS = –4.5 v t r t d(在) 图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 10 –V GS , gate–to–source 电压 (伏特) 2.0 0 0 1.0 0 Q g , 总的门承担 (nc) –V DS , drain–to–source 电压 (伏特) 5.0 10 20 40 I D = –10 一个 T J = 25 ° C 30 V DS V GS Q2 Q3 Q1 1000 t f 3.0 2.0 4.0 6.0 4.0 8.0 QT 50 t d(止) R G , 门阻抗 (ohms) 1.0 10 100 100 10 t, 时间 (ns) V DD = –10 v I D = –10 一个 V GS = –4.5 v t r t d(在) 图示 10. resistive 切换时间变化相比门阻抗 1000 t f t d(止)

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