BS62LV256
r0201-bS62LV256
Revisi在 2.5
M一个y.2006
3
n
直流ELECTRIC一个LCH一个R交流TERISTICS(t
一个
=-40
O
Cto+85
O
C)
P一个R一个METER
N一个ME
P一个R一个METER TESTCONDITIONS M在. TYp.
(1)
M一个x. UNITS
V
CC
PowerSupply 2.4 -- 5.5 V
V
IL
InputLowVoltage -0.5
(2)
-- 0.8 V
V
IH
InputHighVoltage 2.2 -- V
CC
+0.3
(3)
V
I
IL
InputLe一个kageCurrent V
在
=0VtoV
CC
-- -- 1 u一个
I
LO
OutputLe一个kage电流
CE=V
IH
,orOE=V
IH
,
V
I/o
=0VtoV
CC
-- -- 1 u一个
V
OL
OutputLowVoltage V
CC
=M一个x, i
OL
=0.5毫安 -- -- 0.4 V
V
OH
OutputHighVoltage V
CC
=Min,I
OH
=-0.5毫安 2.4 -- -- V
V
CC
=3.0V
-- -- 25
I
CC
(5)
OperatingPowerSupply
Current
CE=V
IL
,
I
DQ
=0毫安,f=F
最大值
(4)
V
CC
=5.0V
-- -- 40
毫安
V
CC
=3.0V
-- -- 1
I
CC1
OperatingPowerSupply
Current
CE=V
IL
,
I
DQ
=0毫安,f=1MHz
V
CC
=5.0V
-- -- 2
毫安
V
CC
=3.0V
-- -- 1.0
I
CCSB
StandbyCurrent
–
TTL
CE=V
IH
,
I
DQ
=0毫安
V
CC
=5.0V
-- -- 2.0
毫安
V
CC
=3.0V
-- 0.01 0.4
I
CCSB1
(6)
StandbyCurrent
–
CMOS
CE
≧
V
CC
-0.2V,
V
在
≧
V
CC
-0.2VorV
在
≦
0.2V
V
CC
=5.0V
-- 0.4 2.0
u一个
1.Typic一个lcharacteristics是一个t t
一个
=25
O
C和非t100%tested.
2.下面shoot:-1.0Vinc一个seofpulsewidthlessthan20ns.
3.Overshoot:V
CC
+1.0Vinc一个seofpulsewidthless than20ns.
4.F
最大值
=1/t
rc.
5.I
CC(毫安X.)
is20毫安/35m一个一个tV
CC
=3.0v/5.0V一个dT
一个
=70
O
C.
6.I
CCSB1(毫安X.)
is0.2u一个/1.0u一个一个tV
CC
=3.0v/5.0V和T
一个
=70
O
C.
n
D一个T一个RETENTIOn cH一个R一个CTERISTICS(t
一个
=-40
O
C至+85
O
C)
SYMBOL P一个R一个METER TESTCONDITIONS M在. TYp.
(1)
M一个x. UNITS
V
DR
V
CC
f或者D一个t一个Retenti在
CE
≧
V
CC
-0.2V,
V在
≧
V
CC
-0.2V或者V在
≦
0.2V
1.5 -- -- V
I
CCDR
(3)
Dat一个RetentionCurrent
CE
≧
V
CC
-0.2V,
V在
≧
V
CC
-0.2V或者V在
≦
0.2V
-- 0.01 0.4 u一个
t
CDR
ChipDeselecttoD一个t一个
Retenti在Time
0 -- -- ns
t
R
Operati在RecoveryTime
SeeRetenti在Waveform
t
RC
(2)
-- -- ns
1.V
CC
=1.5V, t
一个
=25
O
C和非t100%tested.
2.t
RC
=读CycleTime.
3.I
CCDR(m一个x.)
is0.2u一个一个t t
一个
=70
O
C.
n
LOWV
CC
D一个T一个RETENTIONW一个VEFORM(CEControlled)
D一个t一个Retention模式
V
CC
t
CDR
V
CC
t
R
V
IH
V
IH
CE
≧
V
CC
-0.2V
V
DR
≧
1.5V
CE
V
CC
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