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资料编号:1057003
 
资料名称:2SK2941
 
文件大小: 73099K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
©
1997
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SK2941
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
文档 非. d11007ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 将 1997 n
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意.
描述
这个 产品 是 n-chanel mos 地方 效应 晶体管 设计 高
电流 切换 应用.
特性
低 在-阻抗
R
ds(在)1
= 14 m
典型值 (v
GS
= 10 v, i
D
=18 一个)
R
ds(在)2
= 22 m
典型值 (v
GS
= 4 v, i
D
= 18 一个)
低 c
iss
C
iss
最大 电源 消耗
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c) P
T
1.5 W
最大 温度
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
10
µ
s, 职责 循环
1%
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放. 当 这个 设备
acutally 使用, 一个 addtional 保护 电路 是 externally 必需的 如果 电压 exeeding 这 评估 电压 将 是 应用 至
这个 设备.
123
4
10.6 最大值
10.0
3.6±0.2
6.0 最大值
12.7 最小值
5.9 最小值
15.5 最大值
3.0±0.3
1. 门
2. 流
3. 源
4. fin (流)
电子元件工业联合会: 至-220ab
mp-25 (至-220)
2.8±0.2
0.5±0.2
1.3±0.2
4.8 最大值
1.3±0.2
0.75±0.1
2.542.54
Dody
二极管
门 保护
二极管
包装 维度
inmillimeters
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