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资料编号:1057003
 
资料名称:2SK2941
 
文件大小: 73099K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2941
4
门 至 源 截止 电压 vs.
频道 温度
2.0
1.5
1.0
0.5
0
T
ch
- 频道 温度 - °c
V
gs(止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
10
1
10
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
V
GS
= 0
f =1 mhz
电容 vs. 流 至
源 电压
1000
100
0.1 1 10
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
rss
C
iss
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
向前 转移 特性
100
10
0
5
10
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
1000
–50 0 50 100 150
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
100
1000
100
50
0
510
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在 - 状态 阻抗 - m
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
I
D
= 7 一个
18 一个
35 一个
搏动
R
ds(在)
- 流 至 源 在 - 状态 阻抗 - m
流 至 源 在 - 状态 阻抗
vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
1 10 1000
10
20
30
V
GS
= 4 v
V
GS
= 10 v
10 000
C
oss
100
V
DS
= 10 V
搏动
T
一个
= –25 °c
25 °c
75 °c
125 °c
T
一个
= –25 °c
25 °c
75 °c
125 °c
10
V
DS
= 10 v
搏动
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