首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1057003
 
资料名称:2SK2941
 
文件大小: 73099K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号2SK2941的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2941
2
电的 特性 (t
一个
= 25
°
c)
典型的 SYMBLO 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 在-状态 R
ds(在)1
14 20 m
V
GS
= 10 v, i
D
= 18 一个
阻抗
R
ds(在)2
22 33 m
V
GS
= 4 v, i
D
= 18 一个
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.0 1.5 2.0 V V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安
向前 转移 admittance i y
fs
I 8.0 25 S V
DS
= 10 v, i
D
= 18 一个
流 泄漏 电流 I
DDS
10
µ
AV
DS
= 30 v, v
GS
= 0
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
±
10
µ
AV
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0
输入 电容 C
iss
1250 pF V
DS
= 10 v, v
GS
= 0, f =1 mhz
输出 电容 C
oss
900 pF
反转 转移 电容 C
rss
460 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
40 ns I
D
= 18 一个, v
gs(在)
= 10 v
上升 时间 t
r
430 ns
V
DD
= 15 v, r
G
= 10
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
160 ns
下降 时间 t
r
220 ns
总的 门 承担 Q
G
50 nC I
D
= 35 一个, v
DD
= 24 v,
门 至 源 承担 Q
GS
4.5 nC
V
GS
=10 v
门 至 流 承担 Q
GD
21 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
1.0 V I
F
= 35 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 时间 t
rr
65 ns I
F
= 35 一个, v
GS
= 0,
反转 恢复 承担 Q
rr
90 nC
di/dt = 100 一个/
µ
s
= 10
R
G
V
GS
波 表格
t
t = 1 s
职责 循环
1 %
0
I
D
波 表格
90 %
10 %
0
V
GS
I
D
0
10 % 10 %
90 % 90 %
t
t
V
gs(在)
R
L
V
DD
PG
V
GS
t
d(在)
t
r
t
f
t
d(止)
I
D
µ
d.u.t.
R
L
V
DD
PG
50
I
G
= 2 毫安
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com