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资料编号:1057054
 
资料名称:2SK3061
 
文件大小: 66507K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13100ej1v0ds00
3
2SK3061
典型 特性 (t
一个
= 25 °c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
T
C
- 情况 温度 -
°
C
dt - percentage 的 评估 电源 - %
0
20 40 60 80 100 120 140 160
20
40
60
80
100
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
T
C
- 情况 温度 -
°
C
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
20 40 60 80 100 120 140 160
70
60
50
40
30
20
10
向前 偏差 safe 运行 范围
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
1
0.1
10
100
1000
1 10 100
T
C
= 25
˚C
单独的 脉冲波
R
ds(在)
限制(@v
GS
= 10v)
P
W
=
10
µ
s
100
µ
s
1
ms
10
ms
100
ms
直流 消耗 限制
I
d(直流)=70 一个
I
d(脉冲波)=280 一个
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0
2
3
4
200
1
搏动
V
GS
=
10 v
V
GS
=
4.0
V
100
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0.1
1
10
100
012345
搏动
V
DS
= 10
V
T
一个
= 125˚c
75˚C
25˚C
25˚C
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