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资料编号:1057054
 
资料名称:2SK3061
 
文件大小: 66507K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13100ej1v0ds00
5
2SK3061
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
m
0
50
5
0
50
100 150
I
D
= 35
一个
10
20
15
V
GS
= 4.0
V
10
V
源 至 流 二极管
向前 电压
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
I
SD
- 二极管 向前 电流 - 一个
0.1
0
1
10
100
0.5
搏动
1
1.5
0
V
V
GS
= 4.0
V
电容 vs. 流 至
源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
ciss, coss, crss - 电容 - pf
0.1
0.1
1
10
100
1 10 100
V
GS
= 0 v
f = 1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
切换 特性
I
D
- 流 电流 - 一个
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
0.1
10
100
1000
10000
1 10 100
V
DS
= 30
V
V
GS
= 10
V
R
G
= 10
t
d(止)
t
d(在)
t
r
t
f
反转 恢复 时间 vs.
流 电流
I
F
- 流 电流 - 一个
t
rr
- 反转 恢复 时间 - ns
di/dt
=
100
一个
/
V
GS
=
0 v
µ
s
1
0.1
10
1 10 100
1000
100
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
动态 输入/输出 特性
Q
G
- 门 承担 - nc
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
0
25 50 75 100
20
40
60
80
2
4
6
8
0
V
DD
= 12 v
30 v
48 v
12
14
16
10
I
D
= 70
一个
V
GS
= 10
V
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