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资料编号:1057054
 
资料名称:2SK3061
 
文件大小: 66507K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d13100ej1v0ds00
6
2SK3061
单独的 avalanche 电流 vs.
inductive 加载
l - inductive 加载 - h
I
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
1.0
10
100
1
m10
m
R
G
= 25
V
DD
= 30
V
V
GS
= 20
V
0 v
开始 t
ch
= 25
°
C
I
= 35
一个
10
µ
100
µ
0.1
E
=
122.5
mJ
单独的 avalanche 活力
减额 因素
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 -˚C
活力 减额 因素 - %
25 50
75 100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125 150
V
DD
= 30 v
R
G
= 25
V
GS
= 20 v
0 v
I
35 一个
10.0
±
0.3
3.2
±
0.2
φ
4.5
±
0.2
2.7
±
0.2
2.5
±
0.1
0.65
±
0.11.5
±
0.2
2.54
1.3
±
0.2
2.54
0.7
±
0.1
4
±
0.2
15.0
±
0.3
12.0
±
0.2
3
±
0.1
123
1.门
2.流
3.源
13.5
最小值
分开的 至-220 (mp-45f)
身体
二极管
源 (s)
流 (d)
门 (g)
包装 绘画 (单位 : mm)
相等的 电路
保护
二极管
Remark
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这 晶体管 serves 作 一个 protector 相反 静电释放.
当 这个 设备 的确 使用, 一个 额外的 保护 电路 是 externally 必需的 如果 一个 电压
exceeding 这 评估 电压 将 是 应用 至 这个 设备.
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