tda 4916 gg
半导体 组 10 05.96
绝对 最大 比率
T
一个
= – 40 至 85
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 最大值
供应 电压;
V
S
,
V
S QSIP
I 运算, I k1, I k3, I k4, I k5, I k6,
I SYN
Q SYN
V
S
,
V
VS QSIP
V
I
V
I SYN
I
I SYN
V
Q SYN
– 0.3
– 0.3
0
–3
– 0.3
17
17
5
3
5
V
V
V
毫安
V
V
I SYN
> 5 v 或者
V
I SYN
< 0 V
频率 发生器;
C
T
,
R
T
V
ct, RT
I
ct, rt
– 0.3
0
5
3
V
毫安
V
CT
> 5 V
ramp 发生器;
C
R
V
CR
I
CR
– 0.3
0
V
CRH
3
V
毫安
V
CRH
(看 charact.)
V
CR
>
V
CRH
涉及 电压;
V
REF
V
REF
I
REF
– 0.3
–10
6
10
V
毫安
V
REF
> 6 v 或者
V
REF
< – 0.3 V
输出 opamp; q 运算
Inhibited
组织
V
QOP
I
QOP
– 0.3
0
17
5
V
毫安
输出 overcurrent 转变-止;
QK6
Inhibited
组织
V
QK6
I
QK6
– 0.3
0
17
5
V
毫安
驱动器 输出; q SIP
V
Q SIP
– 0.3
V
S
V
1)
Q sip 夹紧 二极管
I
Q SIP
–10 10 毫安
V
Q SIP
>
V
S
或者
V
Q SIP
< – 0.3 V
软 开始;
C
SS
V
CSS
I
CSS
– 0.3
0
V
SSH
100
V
µ
一个
V
SSH
(看 charact.)
V
SS
>
V
SSH
脉冲波 omission; po
V
PO
I
PO
– 0.3
0
V
POH
3
V
毫安
V
POH
(看 charact.)
V
PO
>
V
POH
序列 喂养; sf
V
SF
– 0.3 17 V
接合面 温度
T
j
– 65 150
°
C
存储 温度
T
s
– 65 150
°
C
热的 阻抗
系统 - 包围的
R
th s/一个
60 k/w
这 值 谈及 至 这 二 连接 地面 terminals.
1) 重要的: 注意到 最大值 电源 丧失 或者 接合面 温度.
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