tda 4916 gg
半导体 组 13 05.96
温度-
dependence 的
名义上的 频率
∆
f
τ
/
f
O
–3 3 % –25
°
c<
T
一个
<+85
°
c;
V
S
=12v;
相关的 至
f
O
在 25
°
c;
20 kHz <
f
O
< 150 kHz
名义上的 频率
f
20150
0.92
f
O
f
O
1.08
f
O
kHz
1)
20 khz 至 150 kHz
名义上的 频率
f
150250
0.88
f
O
f
O
1.12
f
O
kHz
1),2)
150 khz 至 250 kHz
名义上的 频率
f
250300
0.85
f
O
f
O
1.15
f
O
kHz
1),2)
250 khz 至 300 kHz
最大 职责 循环
ν
20150
48 52 %
2)
20 khz 至 150 kHz
最大 职责 循环
ν
150200
46 54 %
2)
150 khz 至 250 kHz
最大 职责 循环
ν
250300
44 56 %
2)
250 khz 至 300 kHz
ramp 发生器
频率 范围
f
0.05 300 kHz
最大 电压 在
C
R
V
CRH
4.8 5.8 6.8 V
最小 电压
在
C
R
V
CRL
1.4 1.8 2.2 V
释放 电流 在
C
R
I
dis
0.75 1.00 1.25 毫安 内部 fixed
电容 在
C
R
C
R
10 pF
在-时间 展开
(限制 用
C
SS
)
∆
t
Ot
/
t
Ot
–9 9 %
C
r
= 200 pf;
V
IK1
>
V
SSH
;
I
Rr
= 150
µ
一个;
T
一个
=25
°
c;
相关的 至
t
Ot
= 4.0
µ
s
1
)
C
T
;
R
T
(看 振荡器 nomogram).
2)
看 图解: 容忍 的 振荡器 频率, 职责 循环.
特性
(内容’d)
V
Son
<
V
S
< 15 v, – 25
°
c <
T
一个
< 85
°
c;
V
Son
意思 那
V
S
有 超过
V
SH
, 但是 有
不 gone 在下
V
SL
.
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
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