MC33192
9
motorola 相似物 ic 设备 数据
程序编制 ok 代号 “100”
表明 这 地址
程序编制 至 是 executed.
这 第一 和 第二 说明 必须 是 重复的 直到
这 mcu successfully receives 这 程序编制 代号
“100”. 地址 程序编制 是 不 完全 直到 一个 “100”
ok 状态 是 received 用 这 mcu 和 这 mi–bus 电压
在 5.0 v.
overwrite–bit 程序编制
involves 这 使用 的 二
说明. 看 图示 11.
第一 操作指南
有 这 mi–bus continuously 设置 在
12 v 所以 作 至 有 这 mc33192 在 这 程序编制 模式.
程序编制 能 仅有的 是 accomplished 和 这 mi–bus 在
12 v.
这 mcu serially enters “logic zeros” 为 这 推 地方
数据 位 d0, d1, d2 和 d3 和 一个 逻辑 “1” 为 d4 位
followed 用 这 编写程序 地址 位 a0, a1 和 a2.
这 mcu now waits 275
µ
s 在之前 开始 这 第二
操作指南. 这 总的 的 这 拉 时间, 延迟 时间, 和 总线
violation 时间 (v) 的 这 第二 操作指南 (150
µ
s, 275
µ
s
和 75
µ
s 各自) 将 导致 这 记忆 cell 至 是
energized 为 500
µ
s. 在 这 第一 150
µ
s 的 这个 时间, 这
mcu 是 checking 这 拉 地方 数据 位 为 这 状态 的 位
s2, s1 和 s0 looking 为 这
程序编制 代号 “110”
至
表明 完全 触发 的 这 记忆 cell.
第二 操作指南
(mi–bus remaining 在 12 v)
这 mcu repeats 这 第一 操作指南 概述 在之上 直到
这
程序编制 ok 代号 “100”
是 sent 后面的 至 这 mcu
从 这 选择 mc33192 表明 这 overwrite–bit
保护 至 是 编写程序. 如果 之后 第八 repeat
说明, 这 程序编制 代号 “110” 或者 这 ok 代号
“100” 是 不 发生 四 时间 在 succession,
程序编制 的 这 mc33192 有 failed. 如果 这个 occurs, 这
overwrite–bit 程序编制 sequence 应当 是 reviewed
和 re–started 从 这 beginning.
h–bridge 输出
这 h–bridge 输出 驱动 电路 和 有关联的
diagnostic encoder 是 显示 在 图示 12. 这 h–bridge
输出 使用 内部的 二极管 clamps (d1, d2, d3, d4) 至 提供
瞬时 保护 的 这 输出 晶体管 需要 当
切换 inductive 负载 有关联的 和 stepper 发动机.
后面的 emf 发现
三 不同的 后面的 emf 电流 能 出现 取决于
在 whether 这 发动机 是 运动 或者 manner 在 这个 它 是 正在
stopped. referring 至 图示 12; 当 这 dir1 位 是 设置 至
逻辑 0, 这 方向 的 电流 流动 将 是 从 v
CC
通过
晶体管 q2, coil 一个 (a1 至 a2), 和 晶体管 q4 至 地面.
1)
快 decay
(当 晶体管 q1, q2, q3 和 q4 是
切换 止).
当 这 电流 流 在 这 coil 是 stopped 用 设置
这 inh1
位 至 逻辑 0, 这 后面的 emf 电流 将 circulate
通过 这 电压 供应 (v
CC
) 和 二极管 d1 和 d3. 在
那 时间, 这 电压 开发 横过 这 二极管 d1 是
发现 用 晶体管 q6. 这 发生 电压 脉冲波 的 q6
是 然后 encoded 和 sent, 在 这 pull–field, 至 这
微处理器.
2)
慢 decay
(q3 和 q4 是 切换 止)
当 这 电流 流 在 这 coil 是 stopped 用 设置
这 e 位 至 逻辑 0, 这 后面的 emf 电流 将 circulate 通过
这 二极管 d1 和 晶体管 q2 这个 是 already 切换 在.
3)
当 发动机 是 运动
这 轮流的 方向 的 这 发动机 改变 whenever
这 dir 位 状态 是 changed. 当 这 dir 位 是 changed 从
一个 逻辑 0 至 一个 逻辑 1, 晶体管 q2 和 q4 是 切换 止
和 晶体管 q1 和 q3 是 切换 在. 在 这个 时间, 这
后面的 emf 电流 将 circulate 从 地面 通过 二极管
d1 和 d3 至 这 电压 供应 (v
CC
). 在 所有 具体情况, 这 后面的
emf 电流 将 是 发现 用 晶体管 q5 和 q6.
图示 11. 地址 程序编制 图解
操作指南 号码
1
2
3
mi–bus 地方
推 拉 DelayV V 拉 延迟 VPush 推 拉
550
µ
s 150
µ
s 275
µ
s 75
µ
s 550
µ
s
地址
状态 代号
Overwrite–Bit
状态 代号
mi–bus 电压
12V
5.0 v
12 v
5.0 v
程序编制
起作用的
Finished Finished
strobe 脉冲波
OK
500
µ
s
活力 在
记忆 cell
500
µ
s475
µ
s
t
“110” “110”
“100”“110”
“100”
“100”
150
µ
s 275
µ
s 75
µ
s
: 点此下载
