MCR12DSMT4_集成电路资料查询网

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图示 3. on–state 特性 图示 4. 瞬时 热的 回馈
图示 5. 典型 门 触发 电流 相比
接合面 温度
图示 6. 典型 门 触发 电压 相比
接合面 温度
5.00
V
T
, instantaneous on–state 电压 (伏特)
100
10
1.0
0.1
t, 时间 (ms)
1.00.1
1.0
0.1
0.01
4.0
–25 20–40
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
1000
10
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
–25 65–40
0.1
205.0
I
r
(t)
, 瞬时 热的 阻抗
1.0 3.0 10 100 1000 10 k
, 门 触发 电流 (   一个)I
GT
50 11065 5.0 11035 50
V
GT
, 门 触发 电压 (伏特)
, instantaneous on–state 电流 (放大器)
T
80
典型 @ t
J
= 25
°
C
最大 @ t
J
= 25
°
C
最大 @ t
J
= 110
°
C
Z
q
jc(t)
= r
q
jc(t)
S
r(t)
1.0
1.0
2.0
–10
35
95
100
–10 9580
m
(normalized)
门 打开
R
GK
= 1.0 k
W
图示 7. 典型 支持 电流 相比
接合面 温度
图示 8. 典型 闭锁 电流 相比
接合面 温度
65 110–40
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
I
H
, 支持 电流 (毫安)
I
1.0
0.1
–25 5.0 20 50 95
, 闭锁 电流 (毫安)
L
10
–10 35 80
R
GK
= 1.0 k
W
65 110–40
1.0
0.1
–25 5.0 20 50 95
10
–10 35 80
R
GK
= 1.0 k
W

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mcr12dsm, mcr12dsn http://onsemi.com 4 图示 3. on–state 特性图示 4. 瞬时热的回馈图示 5. 典型门触发电流相比接合面温度图示 6. 典型门触发电压相比接合面温度 5.00 V T , instantaneous on–state 电压 (伏特) 100 10 1.0 0.1 t, 时间 (ms) 1.00.1 1.0 0.1 0.01 4.0 –25 20–40 T J , 接合面温度 ( ° c) 1000 10 T J , 接合面温度 ( ° c) –25 65–40 0.1 205.0 I r (t) , 瞬时热的阻抗 1.0 3.0 10 100 1000 10 k , 门触发电流 ( 一个)I GT 50 11065 5.0 11035 50 V GT , 门触发电压 (伏特) , instantaneous on–state 电流 (放大器) T 80 典型 @ t J = 25 ° C 最大 @ t J = 25 ° C 最大 @ t J = 110 ° C Z q jc(t) = r q jc(t) S r(t) 1.0 1.0 2.0 –10 35 95 100 –10 9580 m (normalized) 门打开 R GK = 1.0 k W 图示 7. 典型支持电流相比接合面温度图示 8. 典型闭锁电流相比接合面温度 65 110–40 T J , 接合面温度 ( ° c) T J , 接合面温度 ( ° c) I H , 支持电流 (毫安) I 1.0 0.1 –25 5.0 20 50 95 , 闭锁电流 (毫安) L 10 –10 35 80 R GK = 1.0 k W 65 110–40 1.0 0.1 –25 5.0 20 50 95 10 –10 35 80 R GK = 1.0 k W

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