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图示 9. 支持 电流 相比
gate–cathode 阻抗
1000 10 k100
R
GK
, gate–cathode 阻抗 (ohms)
10
6.0
4.0
2.0
0
I
T
J
= 25
°
C
图示 10. exponential 静态的 dv/dt 相比
gate–cathode 阻抗 和 接合面
温度
100
R
GK
, gate–cathode 阻抗 (ohms)
1000
10
1.0
静态的 dv/dt (v/   s)
m
T
J
= 110
°
C
1000
I
GT
= 10
m
一个
图示 11. exponential 静态的 dv/dt 相比
gate–cathode 阻抗 和 顶峰 电压
静态的 dv/dt (v/   s)
m
图示 12. exponential 静态的 dv/dt 相比
gate–cathode 阻抗 和 门 触发
电流 敏锐的
8.0
I
GT
= 25
m
一个
, 支持 电流 (毫安)
H
100
90
°
C
70
°
C
100
R
GK
, gate–cathode 阻抗 (ohms)
1000
10
1.0
T
J
= 110
°
C
1000
100
V
PK
= 800 v
600 v
400 v
100
R
GK
, gate–cathode 阻抗 (ohms)
1000
10
1.0
V
D
= 800 v
T
J
= 110
°
C
1000
100
I
GT
= 10
m
一个
静态的 dv/dt (v/   s)
m
I
GT
= 25
m
一个

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mcr12dsm, mcr12dsn http://onsemi.com 5 图示 9. 支持电流相比 gate–cathode 阻抗 1000 10 k100 R GK , gate–cathode 阻抗 (ohms) 10 6.0 4.0 2.0 0 I T J = 25 ° C 图示 10. exponential 静态的 dv/dt 相比 gate–cathode 阻抗和接合面温度 100 R GK , gate–cathode 阻抗 (ohms) 1000 10 1.0 静态的 dv/dt (v/ s) m T J = 110 ° C 1000 I GT = 10 m 一个图示 11. exponential 静态的 dv/dt 相比 gate–cathode 阻抗和顶峰电压静态的 dv/dt (v/ s) m 图示 12. exponential 静态的 dv/dt 相比 gate–cathode 阻抗和门触发电流敏锐的 8.0 I GT = 25 m 一个 , 支持电流 (毫安) H 100 90 ° C 70 ° C 100 R GK , gate–cathode 阻抗 (ohms) 1000 10 1.0 T J = 110 ° C 1000 100 V PK = 800 v 600 v 400 v 100 R GK , gate–cathode 阻抗 (ohms) 1000 10 1.0 V D = 800 v T J = 110 ° C 1000 100 I GT = 10 m 一个静态的 dv/dt (v/ s) m I GT = 25 m 一个

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