mitsubishi lsis
262144-位 (32768-文字 用 8-位) cmos 静态的 内存
MITSUBISHI
ELECTRIC
m5m5256dp,fp,vp,rv -45ll,-55ll,-70ll,
-45xl,-55xl,-70xl
'97.4.7
函数
函数 表格
这 运作 模式 的 这 m5m5256dp,fp,vp,rv 是
决定 用 一个 结合体 的 这 设备 控制 输入 /s,
/w 和 /oe. 各自 模式 是 summarized 在 这 函数 表格.
一个 写 循环 是 executed whenever 这 低 水平的 /w
overlaps 和 这 低 水平的 /s. 这 地址 必须 是 设置 向上
在之前 这 写 循环 和 必须 是 稳固的 在 这 全部
循环. 这 数据 是 latched 在 一个 cell 在 这 trailing 边缘 的
/w, /s, whichever occurs 第一, 需要 这 设置-向上 和 支撑
时间 相关的 至 这些 边缘 至 是 maintained. 这 输出
使能 /oe 直接地 控制 这 输出 平台. 设置 这
/oe 在 一个 高 水平的,这 输出 平台 是 在 一个 高-阻抗
状态, 和 这 数据 总线 contention 问题 在 这 写 循环
是 eliminated.
模式 DQ Icc
/s /w /oe
非 选择
写
读
保卫-用
起作用的
起作用的
起作用的
高-阻抗
D在
D输出
X X
L
L
L
L X
L
H
H
H
H
高-阻抗
2
一个 读 循环 是 executed 用 设置 /w 在 一个 高 水平的 和
/oe 在 一个 低 水平的 当 /s 是 在 一个 起作用的 状态.
当 设置 /s 在 一个 高 水平的, 这 碎片 是 在 一个
非-可选择的 模式 在 这个 两个都 读 和 writing 是
无能. 在 这个 模式, 这 输出 平台 是 在 一个
高-阻抗 状态, 准许 或者-系 和 其它 碎片 和
记忆 expansion 用 /s. 这 电源 供应 电流 是
减少 作 低 作 这 保卫-用 电流 这个 是 指定
作 icc3 或者 icc4, 和 这 记忆 数据 能 是 使保持 在 +2v
电源 供应, enabling 电池 后面的-向上 运作 在
电源 失败 或者 电源-向下 运作 在 这 非-选择
模式.
VCC
(5v)
地
(0v)
27
20
22
2
3
4
6
5
7
25
26
1
8
9
10
21
23
24
2
12
11
13
15
16
17
18
19
地址 输入
缓存区
行 解码器
(512 rows x
512 columns)
32768 文字
x 8bit
sense anplifier
输出 缓存区
数据 输入
缓存区
COLUMN
解码器
地址 输入
缓存区
发生器
时钟
一个 14
一个 13
一个 8
一个 12
一个 6
一个 7
一个 10
一个 0
一个 1
一个 2
一个 3
一个 4
一个 5
一个 11
一个 9
/w
/oe
/s
28
14
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
地址
输入
数据 i/o
写 控制
输入
输出 使能
输入
碎片 选择
输入
块 图解
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