mitsubishi lsis
262144-位 (32768-文字 用 8-位) cmos 静态的 内存
MITSUBISHI
ELECTRIC
m5m5256dp,fp,vp,rv -45ll,-55ll,-70ll,
-45xl,-55xl,-70xl
'97.4.7
4
(2) 读 循环
(3) 写 循环
标识 参数
tCR 读 循环 时间
地址 进入 时间
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
限制
t一个(s)
t一个(oe)
tdis(s)
tdis(oe)
ten(s)
ten(oe)
tV(一个)
t一个(一个)
-70ll, xl
交流 电的 特性
(ta = 0~70°c, vcc=5v±10%, 除非 否则 指出 )
(1) 度量 情况
碎片 选择 进入 时间
输出 使能 进入 时间
输出 使不能运转 时间 之后 /s 高
输出 使不能运转 时间 之后 /oe 高
输出 使能 时间 之后 /s 低
输出 使能 时间 之后 /oe 低
数据 有效的 时间 之后 地址
MaxMin
输入 脉冲波 level···················vIH=2.4v,vIL=0.6v
输入 上升 和 下降 time··········5ns
涉及 level····················vOH=VOL=1.5v
输出 loads·························fig.1,cl=30pf (-45ll,-45xl )
cl=50pf (-55ll,-55xl )
cl=100pf (-70ll,-70xl )
cl=5pf (为 ten,tdis)
转变 是 量过的 ±500mv 从 稳步的
状态 电压. (为 ten,tdis)
55
5
5
10
最小值
55
55
30
20
20
最大值
45
5
5
10
最小值
45
45
25
15
15
最大值
-45ll, xl -55ll, xl
70
5
5
10
70
70
35
25
25
标识 参数
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
限制
写 循环 时间
写 脉冲波 宽度
地址 建制 时间
地址 建制 时间 和 遵守 至 /w 高
碎片 选择 建制 时间
数据 建制 时间
数据 支撑 时间
写 恢复 时间
输出 使不能运转 时间 从 /w 低
输出 使不能运转 时间 从 /oe 高
输出 使能 时间 从 /w 高
输出 使能 时间 从 /oe 低
MaxMin
-70ll, xl-45ll, xl -55ll, xl
20
20
最大值
55
40
0
50
50
25
0
0
5
5
最小值
15
15
最大值
45
35
0
40
40
20
0
0
5
5
最小值
tCW
tw(w)
tsu(一个)
tsu(一个-wh)
tsu(s)
tsu(d)
th(d)
trec(w)
tdis(w)
tdis(oe)
ten(w)
ten(oe)
25
25
70
50
0
65
65
30
0
0
5
5
Vcc
DQ
CL
图.1 输出 加载
1.8k
Ω
990
Ω
(包含
scope 和 jig)
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