mitsubishi lsis
262144-位 (32768-文字 用 8-位) cmos 静态的 内存
MITSUBISHI
ELECTRIC
m5m5256dp,fp,vp,rv -45ll,-55ll,-70ll,
-45xl,-55xl,-70xl
'97.4.7
包装
m5m256dp : 28 管脚 600 mil 插件
m5m5256dfp : 28 管脚 450 mil sop
m5m5256dvp,rv : 28pin 8 x 13.4 mm tsop
•single +5v 电源 供应
•no clocks, 非 refresh
•data-支撑 在 +2.0v 电源 供应
•directly ttl 兼容 : 所有 输入 和 输出
•three-状态 输出 : 或者-系 能力
•/oe 阻止 数据 contention 在 这 i/o 总线
•common 数据 i/o
•battery backup 能力
•low 保卫-用 current··········0.05µa(典型值.)
应用
小 capacity 记忆 单位
描述
这 m5m5256dp,fp,vp,rv 是 262,144-位 cmos 静态的 rams
有组织的 作 32,768-words 用 8-位 这个 是 fabricated 使用
高-效能 3 polysilicon cmos 技术. 这 使用 的
resistive 加载 nmos cells 和 cmos periphery 结果 在 一个 高
密度 和 低 电源 静态的 内存. 保卫-用 电流 是 小
足够的 为 电池 后面的-向上 应用. 它 是 完美的 为 这 记忆
系统 这个 需要 简单的 接口.
特别 这 m5m5256dvp,rv 是 packaged 在 一个 28-管脚 薄的
小 外形 包装.二 类型 的 设备 是 有,
m5m5256dvp(正常的 含铅的 bend 类型 包装),
m5m5256drv(反转 含铅的 bend 类型 包装). 使用 两个都 类型 的
设备, 它 变为 非常 容易 至 设计 一个 打印 电路 板.
特性
管脚 配置 (顶 视图)
1
20µA
(vcc=5.5v)
(vcc=5.5v)
5µA
(最大值)
保卫-用
(最大值)
起作用的
(最大值)
电源 供应 电流
类型
m5m5256dp, fp,vp,rv-45ll
进入
时间
45ns
55mA
m5m5256dp, fp,vp,rv-55ll
m5m5256dp, fp,vp,rv-70ll
55ns
70ns
m5m5256dp, fp,vp,rv-45xl 45ns
m5m5256dp, fp,vp,rv-55xl
m5m5256dp, fp,vp,rv-70xl
55ns
70ns
2
(vcc=3.0v,
典型)
0.05µa
(vcc=5.5v)
m5m5256dp,fp
1
A14
2
A12
4A6
5
A5
6
A4
7
A3
8A2
9A1
10
A0
3A7
11
DQ1
12
DQ2
13DQ3
14
地
28
Vcc
26
A13
25
A8
24 A9
23
A11
21
A10
DQ8
18 DQ7
17
DQ6
16
DQ5
15
DQ4
27
/w
22 /oe
20
/s
19
M5M5256DVP
1
A14
2
A12
4 A6
5 A5
6 A4
7 A3
3
A7
8A2
9
A1
10
A0
11
DQ1
12
DQ2
13DQ3
14
地
Vcc28
A1326
A825
A924
A11
23
/w
27
/oe
22
A10
21
DQ7 18
DQ6 17
DQ5 16
DQ415
/s
20
DQ8
19
M5M5256DRV
A14
A12
A6
A5
A4
A3
A7
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
地
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4Vcc
A13
A8
A9
A11
/w
/oe
/s
DQ8
外形 28p2c-一个 (dvp)
外形 28p2c-b (drv)
外形 28p4 (dp)
28p2w-c (dfp)
28
27
25
24
23
22
26
21
20
19
18
17
16
15
1
3
4
5
6
2
7
8
11
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13
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