DS2760
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温度 度量
这 ds2760 使用 一个 整体的 温度 传感器 至 continually measure 电池 温度.
温度 度量 是 放置 在 这 温度 寄存器 在 二’s-complement format 和 一个
决议 的 0.125°c 在 一个 范围 的
±
127°c. 这 温度 寄存器 format 是 显示 在 图示 8.
温度 寄存器 format –
图示 8
msb—address 18 lsb—address 19
S2
9
2
8
2
7
2
6
2
5
2
4
2
3
2
2
2
1
2
0
XXXXX
MSb LSb MSb LSb
单位: 0.125
°
C
可编程序的 i/o
至 使用 这 pio 管脚 作 一个 输出, 写 这 desired 输出 值 至 这 pio 位 在 这 特定的 特性
寄存器. writing 一个 0 至 这 pio 位 使能 这 pio 输出 驱动器, 拉 这 pio 管脚 至 vss. writing 一个
1 至 这 pio 位 使不能运转 这 输出 驱动器, 准许 这 pio 管脚 至 是 牵引的 高 或者 使用 作 一个 输入. 至
sense 这 值 在 这 pio 管脚, 读 这 pio 位. 这 ds2760 转变 止 这 pio 输出 驱动器 当 在
enters 睡眠 模式 或者 当 dq 是 低 为 更多 比 2 秒, regardless 的 这 状态 的 这 pmod 位.
电源 转变 输入
这 ds2760 提供 一个 电源 控制 函数 那 使用 这 释放 保护 场效应晶体管 至 门 电池
电源 至 这 系统. 这
PS
管脚, 内部 牵引的 至 vdd 通过 一个 1
µ
一个 电流 源, 是
continuously 监控 为 一个 低-阻抗 连接 至 vss. 如果 这 ds2760 是 在 睡眠 模式, 这
发现 的 一个 低 在
PS
导致 这 设备 至 转变 在 起作用的 模式, turning 在 这 释放 场效应晶体管.
如果 这 ds2760 是 already 在 起作用的 模式, activity 在
PS
有 非 效应 其它 比 这 mirroring 的 它的 逻辑
水平的 在 这
PS
位 在 这 特定的 特性 寄存器.
记忆
这 ds2760 有 一个 256-字节 直线的 地址 空间 和 寄存器 为 仪器, 状态 和 控制 在
这 更小的 32 字节, 和 lockable 可擦可编程只读存储器 和 sram 记忆 occupying portions 的 这 remaining
地址 空间. 所有 可擦可编程只读存储器 和 sram 记忆 是 一般-目的 除了 地址 30h, 31h, 和 33h,
这个 应当 是 写 和 这 default 值 为 这 保护 寄存器, 状态 寄存器, 和 电流
补偿 寄存器, 各自. 当 这 msb 的 任何 2 字节 寄存器 是 读, 两个都 这 msb 和 lsb 是
latched 和 使保持 为 这 持续时间 的 这 读 数据 command 至 阻止 updates 在 这 读 和
确保 同步 在 这 二 寄存器 字节. 为 consistent 结果, 总是 读 这 msb 和
这 lsb 的 一个 二-字节 寄存器 在 这 一样 读 数据 command sequence.
可擦可编程只读存储器 记忆 是 shadowed 用 内存 至 eliminate 程序编制 延迟 在 写 和 至 准许
这 数据 至 是 核实 用 这 host 系统 在之前 正在 copied 至 可擦可编程只读存储器. 所有 读 和 写 至/从
可擦可编程只读存储器 记忆 的确 进入 这 shadow 内存. 在 unlocked 可擦可编程只读存储器 blocks, 这 写 数据
command updates shadow 内存. 在 锁 可擦可编程只读存储器 blocks, 这 写 数据 command 是 ignored. 这
copy 数据 command copies 这 内容 的 shadow 内存 至 可擦可编程只读存储器 在 一个 unlocked 块 的
可擦可编程只读存储器 但是 有 非 效应 在 锁 blocks. 这 recall 数据 command copies 这 内容 的 一个 块 的
可擦可编程只读存储器 至 shadow 内存 regardless 的 whether 这 块 是 锁 或者 不.
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