DS2760
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记忆 编排 –
表格 3
地址 (十六进制) 描述 读/写
00 保护 寄存器 r/w
01 状态 寄存器 R
02-06 保留
07 可擦可编程只读存储器 寄存器 r/w
08 特定的 特性 寄存器 r/w
09-0b 保留
0C 电压 寄存器 msb R
0D 电压 寄存器 lsb R
0E 电流 寄存器 msb R
0F 电流 寄存器 lsb R
10 accumulated 电流 寄存器 msb r/w
11 accumulated 电流 寄存器 lsb r/w
12-17 保留
18 温度 寄存器 msb R
19 温度 寄存器 lsb R
1a-1f 保留
20-2f 可擦可编程只读存储器, 块 0 r/w*
30-3f 可擦可编程只读存储器, 块 1 r/w*
40-7f 保留
80-8f SRAM r/w
90-ff 保留
各自 可擦可编程只读存储器 块 是 读/写 直到 锁 用 这 锁 command, 之后 这个 它 是 读-仅有的.
保护 寄存器
这 保护 寄存器 组成 的 flags 那 表明 保护 电路 状态 和 switches 那 给
conditional 控制 在 这 charging 和 discharging paths. 位 ov, uv, coc 和 doc 是 设置 当
相应的 保护 情况 出现 和 仍然是 设置 直到 cleared 用 这 host 系统. 这 default
值 的 这 ce 和 de 位 的 这 保护 寄存器 是 贮存 在 lockable 可擦可编程只读存储器 在 这
相应的 位 在 地址 30h. 一个 recall 数据 command 为 可擦可编程只读存储器 块 1 recalls 这 default
值 在 ce 和 de. 这 format 的 这 保护 寄存器 是 显示 在 图示 9. 这 函数 的 各自
位 是 描述 在 detail 在 这 下列的 paragraphs.
保护 寄存器 format
图示
–
9
地址 00
位 7
位 6
位 5 位 4 位 3 位 2 位 1
位 0
OV
UV
COC
DOC
CC
直流
CE
DE
ov –
超（电）压 标记. 当 设置 至 1, 这个 位 indicates 这 电池 包装 有 experienced 一个 超（电）压
情况. 这个 位 必须 是 重置 用 这 host 系统.
UV
– 欠压 标记. 当 设置 至 1, 这个 位 indicates 这 电池 包装 有 experienced 一个
欠压 情况. 这个 位 必须 是 重置 用 这 host 系统.
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