DS2760
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欠压.
如果 这 电压 的 这 cell drops 在下 欠压 门槛 v
UV
为 一个 时期 变长 比
欠压 延迟 t
UVD
, 这 ds2760 shuts 止 这 承担 和 释放 fets, sets 这 uv 标记 在 这
保护 寄存器, 和 enters 睡眠 模式.
overcurrent, 承担 方向.
这 电压 区别 在 这 is1 管脚 和 这 is2 管脚 (v
是
= v
IS1
–
V
IS2
) 是 这 filtered 电压 漏出 横过 这 电流 sense 电阻. 如果 v
是
超过 overcurrent 门槛
V
OC
为 一个 时期 变长 比 overcurrent 延迟 t
OCD
, 这 ds2760 shuts 止 两个都 外部 fets 和 sets 这
coc 标记 在 这 保护 寄存器. 这 承担 电流 path 是 不 re-established 直到 这 电压 在 这
pls 管脚 drops 在下 vdd – v
TP
. 这 ds2760 提供 一个 测试 电流 的 值 i
TST
从 pls 至 vss 至
拉 pls 向下 当 这 offending 承担 电流 源 有 被 移除.
overcurrent, 释放 方向.
如果 v
是
是 较少 比 -v
OC
为 一个 时期 变长 比 t
OCD
, 这 ds2760
shuts 止 这 外部 释放 场效应晶体管 和 sets 这 doc 标记 在 这 保护 寄存器. 这 释放
电流 path 是 不 re-established 直到 这 电压 在 pls rises 在之上 vdd - v
TP
. 这 ds2760 提供
一个 测试 电流 的 值 i
TST
从 vdd 至 pls 至 拉 pls 向上 当 这 offending 低-阻抗 加载 有
被 移除.
短的 电路.
如果 这 电压 在 这 sns 管脚 和 遵守 至 vss 超过 短的 电路 门槛 v
SC
为
一个 时期 变长 比 短的 电路 延迟 t
SCD
, 这 ds2760 shuts 止 这 外部 释放 场效应晶体管 和 sets 这
doc 标记 在 这 保护 寄存器. 这 释放 电流 path 是 不 re-established 直到 这 电压 在
pls rises 在之上 vdd - v
TP
. 这 ds2760 提供 一个 测试 电流 的 值 i
TST
从 vdd 至 pls 至 拉
pls 向上 当 这 短的 电路 有 被 移除.
lithium-ion 保护 电路系统 例子 波形
– 图示 3
(1) 至 准许 这 设备 至 react quickly 至 短的 电路, 发现 是 的确 完毕 在 这 sns 管脚 相当
比 在 这 filtered is1 和 is2 管脚. 这 真实的 短的 电路 发现 情况 是 v
SNS
> v
SC
.
睡眠
模式
V
OV
V
CE
V
UV
V
CELL
V
是
承担
释放
CC
直流
-v
SC
V
OC
-v
OC
0
t
SCD
t
OCD
t
OCD
t
UVD
t
OVD
V
PLS
VDD
起作用的
VSS
VSS
inactive
t
OVD
(1)
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