irfr/u5305
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= -16a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 71 110 ns T
J
= 25°c, i
F
= -16a
Q
rr
反转 恢复承担 ––– 170 250 nC di/dt = -100a/µs
源-流 比率 和 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -55 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.034 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.065
Ω
V
GS
= -10v, i
D
= -16a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -2.0 ––– -4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 8.0 ––– ––– S V
DS
= -25v, i
D
= -16a
––– ––– -25
µA
V
DS
= -55v, v
GS
= 0v
––– ––– -250 V
DS
= -44v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 63 I
D
= -16a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 13 nC V
DS
= -44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 29 V
GS
= -10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 14 ––– V
DD
= -28v
t
r
上升 时间 ––– 66 ––– I
D
= -16a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 39 ––– R
G
= 6.8
Ω
t
f
下降 时间 ––– 63 ––– R
D
= 1.6
Ω,
看 图. 10
在 含铅的,
––– –––
6mm (0.25in.)
从 包装
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 1200 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 520 ––– pF V
DS
= -25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 250 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
nH
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
L
D
内部的 流 电感
L
S
内部的 源 电感 ––– –––
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
I
SD
≤
-16a, di/dt
≤
-280a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175°C
注释:
V
DD
= -25v, 开始 t
J
= 25°c, l = 2.1mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= -16a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
-31
-110
一个
S
D
G
S
D
G
这个 是 应用 为 i-pak, l
S
的 d-pak 是 量过的 在
含铅的 和 中心 的 消逝 联系.
使用 irf5305 数据 和 测试 情况.
* 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
** 使用 典型 插座 挂载.