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4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
500
1000
1500
2000
2500
1 10 100
c, capacitance (pf)
一个
V=0V,         f =1MHz
C=C+c     ,   cSHORTE D
C=C
C=C+C
GS
iss
gs         gd         ds
rss
gd
oss        ds
gd
C
是s
C
oss
C
rss
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
0
4
8
12
16
20
0 102030405060
Q, 至tal gate charge (nc)
G
一个
为 测试 电路
S EE图URE13
V=-44V
V=-28V
i    =-16a
GS
-v , g ate-至-source voltage(v)
D
DS
DS
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t  = 25°c
J
V=0V
GS
SD
SD
一个
-i     , reverse 流 current (一个)
-v, source-至-drain voltage (v)
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D
BYR
ds(在)
100µs
1ms
10ms
一个
t     =25°C
t     =175°C
Sin
gle P u ls e
C
J
DS
-v, drain-至-source voltage (v)
D
-i   , drain current (一个)

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irfr/u5305 4 www.irf.com 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 500 1000 1500 2000 2500 1 10 100 c, capacitance (pf) 一个 V=0V, f =1MHz C=C+c , cSHORTE D C=C C=C+C GS iss gs gd ds rss gd oss ds gd C 是s C oss C rss DS -v, drain-至-source voltage (v) 0 4 8 12 16 20 0 102030405060 Q, 至tal gate charge (nc) G 一个为测试电路 S EE图URE13 V=-44V V=-28V i =-16a GS -v , g ate-至-source voltage(v) D DS DS 10 100 1000 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 t = 25°c J V=0V GS SD SD 一个 -i , reverse 流 current (一个) -v, source-至-drain voltage (v) t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 OPERATION在这个一个RE一个LIMITE D BYR ds(在) 100µs 1ms 10ms 一个 t =25°C t =175°C Sin gle P u ls e C J DS -v, drain-至-source voltage (v) D -i , drain current (一个)

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