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资料编号:1086662
 
资料名称:IRFR5305
 
文件大小: 160486K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfr/u5305
6 www.irf.com
图 13b.
门 承担 测试 电路
图 13a.
基本 门 承担 波形
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
-10v
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
-3ma
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
0
100
200
300
400
500
600
700
25 50 75 100 125 150 175
J
e , single 脉冲波 avalanche energy (mj)
一个
开始t , 接合面 temperature (°C)
V=-25v
I
P-6.6一个
-11a
BOTTOM-16a
DD
D
图 12b.
unclamped inductive 波形
图 12a.
unclamped inductive 测试
电路
t
p
V
(br)dss
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
-20V
15V
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