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资料编号:1086700
 
资料名称:IRFZ34NL
 
文件大小: 165735K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
irfz34ns/l
** 当 挂载 在 1" 正方形的 pcb (fr-4 或者 g-10 材料 ).
为 推荐 footprint 和 焊接 技巧 谈及 至 应用 便条 #an-994.
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 55 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.052 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.040
V
GS
= 10v, i
D
= 16a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 ––– 4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 6.5 ––– ––– S V
DS
= 25v, i
D
= 16a
––– ––– 25 V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 44v, v
GS
= 0v, t
J
= 150°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 34 I
D
= 16a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 6.8 nC V
DS
= 44v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 14 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13

t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 7.0 ––– V
DD
= 28v
t
r
上升 时间 ––– 49 ––– I
D
= 16a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 31 ––– R
G
= 18
t
f
下降 时间 ––– 40 ––– R
D
= 1.8
Ω,
看 图. 10

在 含铅的,
和 中心 的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 700 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 240 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 100 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
I
GSS
ns
µA
nA
nH
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 –––
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
16 一个, di/dt
420a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
175°C
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.6 V T
J
= 25°c, i
S
= 16a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 57 86 ns T
J
= 25°c, i
F
= 16a
Q
rr
反转 RecoveryCharge ––– 130 200 nC di/dt = 100a/µs

t
向前 转变-在 时间
源-流 比率 和 特性
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– ––– 100
––– ––– 29
一个
S
D
G
V
DD
= 25v, 开始 t
J
= 25°c, l = 610µh
R
G
= 25
, i
= 16a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
使用 irfz34n 数据 和 测试 情况
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