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资料编号:1086700
 
资料名称:IRFZ34NL
 
文件大小: 165735K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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irfz34ns/l
图 3.
典型 转移 特性
图 1.
典型 输出 特性
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , d ra在-至-sourceC urrent (一个)
D
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTT OM 4.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
T=25°C
C
一个
4.5v
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , d ra在-至-sourceC urrent (一个)
D
V, 流-至-源 voltage (v)
DS
VGS
顶 15v
10V
8.0v
7.0v
6.0v
5.5v
5.0v
BOTT OM 4.5v
一个
4.5v
20µs 脉冲波 wIDTH
t =175°C
C
1
10
100
45678910
t = 25°c
J
GS
V, 门-至-source电压 (v)
D
I, 流-至-source current (一个)
一个
V =2 5V
20µs 脉冲波 w IDTH
T= 175°c
J
DS
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
J
T, junctionTem perature(°c)
R , drain-至-source o n R esistance
ds(在)
(n orm 一个lize d)
V =10V
GS
一个
I=26A
D
图 2.
典型 输出 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
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