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irfz34ns/l
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
200
400
600
800
1000
1200
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V= 0V,f=1MHz
C=C+C,   cSHO RTED
C=C
C=C+C
GS
iss         gs         gdds
rss         gd
oss        ds         gd
C
是 s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 10203040
Q, 总的 gate charge (nc)
G
V, g ate-至-sourceV oltage (v )
GS
一个
为 测试 电路
SEE 图 URE13
V=44V
V=28V
DS
DS
I=16A
D
1
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t  = 25°c
J
V=0V
GS
v     , 源-至-流 电压 (v)
i     , reverse Drain current (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°C
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, dra在-至-所以urce voltage (v)
DS
i   , dra在Current (一个 )
运算E R一个TIO N在TH是一个 RE 一个LIMITE D
BY R
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T=25 °C
T=17 5°C
单独的 脉冲波
C
J

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irfz34ns/l 图 7. 典型源-流二极管向前电压图 8. 最大 safe 运行范围图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压 0 200 400 600 800 1000 1200 1 10 100 C, c一个pacitance (pf) DS V, drain-至-所以urce voltage (v) 一个 V= 0V,f=1MHz C=C+C, cSHO RTED C=C C=C+C GS iss gs gdds rss gd oss ds gd C 是 s C oss C rss 0 4 8 12 16 20 0 10203040 Q, 总的 gate charge (nc) G V, g ate-至-sourceV oltage (v ) GS 一个为测试电路 SEE 图 URE13 V=44V V=28V DS DS I=16A D 1 10 100 1000 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 t = 25°c J V=0V GS v , 源-至-流电压 (v) i , reverse Drain current (一个) SD SD 一个 t = 175°C J 1 10 100 1000 1 10 100 V, dra在-至-所以urce voltage (v) DS i , dra在Current (一个 ) 运算E R一个TIO N在TH是一个 RE 一个LIMITE D BY R D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 T=25 °C T=17 5°C 单独的脉冲波 C J

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