6.42
idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 2k (16k x 8-位) 军队, 商业的, 和 在dustrial 温度 范围
3
注释:
1. 所有 值 是 最大 有保证的 值.
2. f
最大值
= 1/t
RC
, 仅有的 地址 输入 是 cycling 在 f
最大值,
f = 0 意思 地址 输入 是 不 changing.
注释:
1. V
IL
(最小值.) = –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 20ns, once 每 循环.
2. V
在
必须 不 超过 v
CC
+0.5v.
等级
Ambient
温度 地 Vcc
军队 -55
O
c 至+125
O
C0V 5.0v ± 10%
Industrial -45
O
c 至+85
O
C0V 5.0v ± 10%
Commercial 0
O
c 至+70
O
C0V 5.0v ± 10%
3089 tbl 05
标识 参数 最小值 典型值 最大值 Unit
V
CC
供应 电压 4.5 5.0 5.5
(2 )
V
地 Ground 0 0 0 V
V
IH
Input high voltage 2.2 3.5 V
CC
+0.5 V
V
IL
Input 低 电压 -0.5
(1 )
____
0.8 V
3089 tbl 06
标识 参数 测试 情况
IDT6116SA IDT6116LA
Unit最小值 最大值 最小值 最大值
|I
LI
|
输入 泄漏 电流
V
CC
= 最大值.,
V
在
=
地 至V
CC
mil.
com'l.
____
____
10
5
____
____
5
2
µA
|I
LO
| 输出 leakage current V
CC
= 最大值.,
CS
= v
IH
,
V
输出
= 地 至V
CC
mil.
com'l.
____
____
10
5
____
____
5
2
µA
V
OL
Output 低 voltage I
OL
= 8ma, v
CC
= 最小值
____
0.4
____
0.4 V
V
OH
Output high voltage I
OH
= -4ma, v
CC
= 最小值 2.4
____
2.4
____
V
3089tbl 07
标识 参数 电源
6116SA15
6116SA20
6116LA20
6116SA25
6116LA25
6116SA35
6116LA35
Unit
Com'l
仅有的
Com'l
&放大; ind
Mil
Com'l
&放大; ind
Mil
Com'l.
&放大; ind. Mil
I
CC1
运行 电源 供应 电流
CS
<
V
IL
, outputs运算en
V
CC
= 最大值., f
=
0
SA 105 105 130 80 90 80 90
毫安
LA 95 95 120 75 85 75 85
I
CC2
动态 ope比率Current
CS
<
V
IL
, outputs运算en
V
CC
= 最大值., f= f
最大值
(2 )
SA 150 130 150 120 135 100 115
毫安
LA 140 120 140 110 125 95 105
I
SB
备用物品 电源 供应 电流
(ttl level)
CS
>
V
IH
, outputs运算en
V
CC
= 最大值., f= f
最大值
(2 )
SA 40 40 50 40 45 25 35
毫安
LA 35 35 45 35 40 25 30
I
SB1
全部 备用物品 电源 供应 电流
(cmos level)
CS
>
V
HC
, v
CC
= 最大值.,
V
在
<V
LC
或者 v
在
> v
HC
, f =0
SA 2 2 10 2 10 2 10
毫安
LA 0.1 0.1 0.9 0.1 0.9 0.1 0.9
3089tbl 08
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